[發(fā)明專利]IGBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011174712.7 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112271142A | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陶少勇;楊幸運;劉磊 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽瑞迪微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人: | 朱順利 |
| 地址: | 241002 安徽省蕪湖市弋江區(qū)*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | igbt 功率 模塊 端子 裸銅基板 焊接 工藝 | ||
1.GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,包括步驟:
S1、將端子放置在裸銅基板的上方,將端子焊接面與裸銅基板的焊接面相接觸;
S2、鍵合焊頭將超聲波能量施加到端子和裸銅基板上,使端子與裸銅基板進行焊接;
其中,所述步驟S1中,端子包括第一連接部、與第一連接部連接的第二連接部和與第二連接部連接的焊接部,第一連接部具有第一背面,第二連接部具有第二背面,第一背面與第二背面相連接且第一背面與第二背面之間的夾角為80-90°,焊接部的寬度為第二連接部的寬度的1.5-2倍,焊接部與裸銅基板焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述第二連接部是在所述焊接部的寬度方向上的中間部位處與焊接部固定連接,所述第一連接部和第二連接部的寬度大小相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述焊接部為圓弧形結(jié)構(gòu),焊接部具有用于與鍵合焊頭相接觸的端子正面和用于與所述裸銅基板的焊接面相接觸的端子焊接面,端子正面和端子焊接面均為圓弧面且端子正面和端子焊接面的軸線與裸銅基板的焊接面相平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述步驟S2中,鍵合焊頭對端子的焊接部施加向下的壓力,將焊接部壓平整。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述端子正面上設(shè)置多個第一凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述端子正面上的所有第一凹槽為呈n*m矩陣式分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述第一凹槽為菱形凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述端子焊接面上設(shè)置多個第二凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述端子焊接面上的所有第二凹槽為呈n*m矩陣式分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GBT功率模塊端子與裸銅基板的焊接工藝,其特征在于,所述第二凹槽為菱形凹槽。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





