[發明專利]三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202011174467.X
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112289798B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 湯召輝
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器的制造方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構包括襯底和位于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括交替層疊的偽柵極層和介電層；

在經過平坦化且未經研磨的所述堆疊結構的柵線隙區中間隔形成多個凹槽，每一凹槽貫穿多層偽柵極層和介電層；

在所述堆疊結構表面及所述多個凹槽中覆蓋絕緣層，其中所述多個凹槽上方的絕緣層表面具有凹陷；以及

對所述絕緣層進行研磨以磨平所述凹陷，其中經研磨的絕緣層覆蓋所述堆疊結構表面。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述絕緣層進行研磨以磨平所述凹陷后還包括：

在所述柵線隙區形成柵線隙，所述柵線隙被所述多個凹槽隔斷；

在所述柵線隙中填充導電材料以形成陣列共源極。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述柵線隙中填充導電材料以形成陣列共源極后還包括：

形成跨越每個凹槽中的絕緣層的連接橋，所述連接橋連通被所述絕緣層隔開的陣列共源極。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆疊結構表面的絕緣層的厚度為150-250nm。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述絕緣層進行研磨以磨平所述凹陷的步驟，包括通過控制所述研磨的時間來控制研磨厚度。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽位于所述堆疊結構的核心區。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述堆疊結構中形成頂部選擇柵切線，且在所述頂部選擇柵切線中填充絕緣層，其中所述頂部選擇柵切線和所述凹槽在同一刻蝕工藝中形成，且所述頂部選擇柵切線中的絕緣層和所述凹槽中的絕緣層在同一填充工藝中形成。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述堆疊結構的核心區中形成溝道結構陣列，所述溝道結構陣列被所述柵線隙區分隔為多個區域。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括形成位于所述溝道結構陣列的各個溝道結構頂部的導電插塞。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆疊結構包括一個堆?；蚨鄠€堆疊的堆棧。

11.一種三維存儲器，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括交替層疊的柵極層和介電層；

貫穿堆疊結構到達所述襯底的柵線隙，所述柵線隙被多個間隔的隔斷結構隔斷；以及

多個絕緣層，對應地設于所述隔斷結構上部且覆蓋所述堆疊結構表面，每一絕緣層貫穿多層柵極層和介電層，其中每一絕緣層的上表面是平坦的。

12.如權利要求11所述的三維存儲器，其特征在于，還包括位于所述柵線隙中的陣列共源極。

13.如權利要求12所述的三維存儲器，其特征在于，還包括跨越每個絕緣層的連接橋，所述連接橋連通被所述絕緣層隔開的陣列共源極。

14.如權利要求11所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個絕緣層位于所述堆疊結構的核心區。

15.如權利要求11所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

頂部選擇柵切線，貫穿所述堆疊結構中的多層柵極層和介電層；

填充于所述頂部選擇柵切線中的絕緣層，其中所述頂部選擇柵切線中的絕緣層和所述隔斷結構上部的絕緣層在同一填充工藝中形成。