[發(fā)明專利]一種具有增強(qiáng)離子聚焦效應(yīng)的離子遷移譜儀遷移區(qū)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011173676.2 | 申請日： | 2020-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN112201558A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邢志剛;袁仲云;賀晶晶 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市斯貝達(dá)電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J49/02 | 分類號： | H01J49/02;H01J49/06;H01J49/26;G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京國坤專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 趙紅霞 |
| 地址： | 518020 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 增強(qiáng) 離子 聚焦 效應(yīng) 遷移 | ||
1.一種具有增強(qiáng)離子聚焦效應(yīng)的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，包括：
遷移區(qū)內(nèi)電極，為金屬圓柱體，連接有射頻電源；
遷移區(qū)外電極，為金屬空心的筒狀柱體，連接有地電極，套在遷移區(qū)內(nèi)電極外，在筒狀柱體的中部沿軸向設(shè)置有間隔斷開空隙的梳狀結(jié)構(gòu)；
絕緣墊片，形狀與梳狀結(jié)構(gòu)的斷開空隙一致的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且安裝在梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，使遷移區(qū)外電極的筒壁形狀保持完整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
所述遷移區(qū)內(nèi)電極的直徑大于0CM且小于2CM。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
所述遷移區(qū)外電極的內(nèi)部空心直徑小于5CM。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
所述遷移區(qū)外電極中的梳狀結(jié)構(gòu)的個數(shù)至少為一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
兩個所述梳狀結(jié)構(gòu)之間的間距大于0CM且小于1CM。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
所述梳狀結(jié)構(gòu)的寬度大于0CM且小于1CM。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子遷移譜儀遷移區(qū)，其特征在于，
所述遷移區(qū)外電極的高度大于0CM且小于10CM，所述遷移區(qū)內(nèi)電極的高度小于或者等于所述遷移區(qū)外電極的高度。
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