[發明專利]形成反式鈣鈦礦太陽能電池電子傳輸層的方法及其應用

在審

• 申請號: 202011172723.1
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112234147A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 邵君;于振瑞
• 申請（專利權）人: 無錫極電光能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/00;H01L51/42
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 周紅

1.一種形成反式鈣鈦礦太陽能電池電子傳輸層的方法，其特征在于，包括：

提供電子傳輸層涂布墨水和基片，所述基片包括導電玻璃襯底、空穴傳輸層和鈣鈦礦薄膜，所述空穴傳輸層形成在所述導電玻璃襯底的至少部分表面，所述鈣鈦礦薄膜形成在所述空穴傳輸層遠離所述導電玻璃襯底的至少部分表面；

采用刮涂處理、狹縫擠出處理、噴涂處理中的至少之一，將所述電子傳輸層涂布墨水涂布到所述鈣鈦礦薄膜遠離所述空穴傳輸層的至少部分表面，得到電子傳輸層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子傳輸層涂布墨水包括：電子傳輸材料、鹵化物添加劑和溶劑；其中，所述電子傳輸材料包括富勒烯材料和金屬氧化物納米材料；在所述電子傳輸層涂布墨水中，所述富勒烯材料的含量為1.5～20mg/mL，所述金屬氧化物納米材料的含量為1.5～20mg/mL，所述鹵化物添加劑的含量為0.1～5mg/mL。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述富勒烯材料與所述金屬氧化物納米材料的質量比為(0.5～2):1。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述富勒烯材料包括富勒烯C₆₀、富勒烯C₇₀、富勒烯C₆₀的羧基化衍生物、富勒烯C₆₀的羥基化衍生物、富勒烯C₇₀的羧基化衍生物、富勒烯C₇₀的羥基化衍生物中的至少之一；

任選地，所述金屬氧化物納米材料包括ZnO、TiO₂、SnO₂、Nb₂O₅、WO₃中的至少之一；

任選地，所述鹵化物添加劑包括甲胺氫碘酸鹽、甲脒氫碘酸鹽、胍基氫碘酸鹽、甲胺氫溴酸鹽、甲脒氫溴酸鹽、胍基氫溴酸鹽、甲胺氫氯酸鹽、甲脒氫氯酸鹽、胍基氫氯酸鹽中的至少之一；

任選地，所述溶劑包括高沸點溶劑和低沸點溶劑，所述高沸點溶劑包括氯苯、鄰二氯苯、甲苯、二苯硫醚中的至少之一，所述低沸點溶劑包括三氯甲烷、異丙醇、甲醇、乙腈中的至少之一。

5.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，所述刮涂處理和所述狹縫擠出處理中，采用的涂布速度分別獨立地為5～100mm/s。

6.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，所述刮涂處理和所述狹縫擠出處理中，將所述基片加熱至50～100℃。

7.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，所述刮涂處理和所述狹縫擠出處理中，利用風刀吹氣，吹氣壓力為0.1～1MPa。

8.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，所述噴涂處理中，將所述基片加熱至50～100℃，設置噴涂設備與所述基片的距離為20～40cm，循環噴涂2～5次。

9.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，將所述電子傳輸層涂布墨水涂布到所述鈣鈦礦薄膜遠離所述空穴傳輸層的至少部分表面之后，進一步包括：將所得產品在70～100℃下熱處理10～60min。

10.一種反式鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括：電子傳輸層，所述電子傳輸層是由權利要求1～9任一項所述的方法形成的。