[發(fā)明專利]一種去除硅片拋光面表面大顆粒的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011172168.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112271132B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧運(yùn)增;賀賢漢;洪漪;胡久林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/68;B08B5/02 |
| 代理公司: | 上海申浩律師事務(wù)所 31280 | 代理人: | 陸葉 |
| 地址: | 200444 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 去除 硅片 拋光 表面 顆粒 方法 | ||
1.一種去除硅片拋光面表面大顆粒的方法,其特征在于,通過物理吹掃去除硅片拋光面表面大顆粒,所述大顆粒為0.50um及以上的大顆粒;
調(diào)節(jié)吹掃角度,吹掃角度控制在40°,所述吹掃角度指的是吹掃氣槍的出氣口的軸向與硅片之間的夾角;
調(diào)節(jié)吹掃壓力,吹掃壓力控制在0.15Mpa,
調(diào)節(jié)吹掃距離,吹掃距離控制在7cm;
還包括一用于安裝吹掃氣槍的安裝架,以及用于帶動(dòng)吹掃氣缸運(yùn)動(dòng)的二維平移機(jī)構(gòu);
還包括一硅片安裝平臺(tái),所述硅片安裝平臺(tái)與所述二維平移機(jī)構(gòu)的基座固定在同一支架上;
所述氣槍上安裝有一紅外激光器,所述紅外激光器的發(fā)光方向與所述氣槍的出氣方向平行;
所述二維平移機(jī)構(gòu)包括帶動(dòng)吹掃氣槍左右運(yùn)動(dòng)的左右平移機(jī)構(gòu)以及用于帶動(dòng)吹掃氣缸前后運(yùn)動(dòng)的前后平移機(jī)構(gòu);
所述前后平移機(jī)構(gòu)的平移平臺(tái)上安裝有所述安裝架,所述左右平移機(jī)構(gòu)的平移平臺(tái)上安裝有所述前后平移機(jī)構(gòu)的基座;
所述左右平移機(jī)構(gòu)以及前后平移機(jī)構(gòu)是直線模組;
所述硅片安裝平臺(tái)包括內(nèi)設(shè)有空腔的中空置物板,所述空腔是一開口向上的槽體以及一頂板圍成,所述槽體內(nèi)固定有縱橫交錯(cuò)排布的隔板,所述隔板將槽體分隔成矩陣式排布的復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)光腔,所述導(dǎo)光腔內(nèi)固定有LED發(fā)光元件,相鄰導(dǎo)光腔內(nèi)固定的LED發(fā)光元件的發(fā)光頻率不同,所述導(dǎo)光腔的內(nèi)壁涂覆有一反光涂層;
所述頂板上開設(shè)有一矩陣式排布的透光孔;
所述硅片安裝平臺(tái)的上方設(shè)有一硅片方位檢測(cè)機(jī)構(gòu),所述硅片方位檢測(cè)機(jī)構(gòu)包括矩陣式排布的光敏傳感器,所述光敏傳感器的感應(yīng)方向與所述透光孔一一對(duì)應(yīng);
所述光敏傳感器的信號(hào)輸出端連接主機(jī),所述主機(jī)控制所述LED發(fā)光元件,且所述主機(jī)還控制連接所述二維平移機(jī)構(gòu);
所述硅片方位檢測(cè)機(jī)構(gòu)還包括一硅片方位估計(jì)系統(tǒng),所述硅片方位估計(jì)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)模塊,所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)有光敏傳感器采集到的光點(diǎn)信息以及遮擋點(diǎn)信息;
所述光點(diǎn)信息為觸發(fā)光敏傳感器感應(yīng)到光的LED發(fā)光元件的光點(diǎn)坐標(biāo)信息,
所述遮擋點(diǎn)信息為未觸發(fā)光敏傳感器感應(yīng)到光的LED發(fā)光元件的遮擋點(diǎn)坐標(biāo)信息;
通過遮擋點(diǎn)坐標(biāo)信息以及光點(diǎn)坐標(biāo)信息獲得一硅片估計(jì)區(qū)域,以所述硅片估計(jì)區(qū)域作為吹氣區(qū)域,所述吹氣區(qū)域?yàn)檎趽觞c(diǎn)坐標(biāo)信息中鄰近光點(diǎn)坐標(biāo)信息的遮擋點(diǎn)的連線;
所述出氣區(qū)域設(shè)有至少一個(gè)直線段;
所述二維平移機(jī)構(gòu)通過一旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)安裝在所述支架上;
所述主機(jī)控制所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)二維平移機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng),進(jìn)而將所述前后平移機(jī)構(gòu)的平移方向與所述直線段的長(zhǎng)度方向平行;
以所述直線段為硅片的長(zhǎng)度方向,吹氣區(qū)域中平行于所述硅片長(zhǎng)度方向上最大的長(zhǎng)度為第一運(yùn)動(dòng)行程參數(shù);
以垂直于所述直線段的方向?yàn)樗龉杵膶挾确较颍禋鈪^(qū)域中平行于所述硅片的寬度方向上最大的長(zhǎng)度為第二運(yùn)動(dòng)行程參數(shù);
以第一運(yùn)動(dòng)行程參數(shù)以及第二運(yùn)動(dòng)行程參數(shù)計(jì)算出長(zhǎng)度為第一運(yùn)動(dòng)行程參數(shù)以及寬度為第二運(yùn)動(dòng)行程參數(shù)的矩形結(jié)構(gòu),且吹氣區(qū)域位于矩形結(jié)構(gòu)內(nèi);
所述主機(jī)控制所述二維平移機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)軌跡為前后平移機(jī)構(gòu)行進(jìn)第一運(yùn)動(dòng)行程參數(shù)后,左右平移機(jī)構(gòu)行進(jìn)1cm,前后平移機(jī)構(gòu)反向行進(jìn)第一運(yùn)動(dòng)行程參數(shù),左右平移機(jī)構(gòu)行進(jìn)1cm;
左右平移機(jī)構(gòu)的總行進(jìn)距離為第二運(yùn)動(dòng)行程參數(shù);
左右平移機(jī)構(gòu)從遠(yuǎn)離硅片處向硅片處運(yùn)動(dòng);
所述前后平移機(jī)構(gòu)的處于初始位置時(shí),所述氣槍的吹氣方向正對(duì)矩形結(jié)構(gòu)的角部;
通過所述紅外激光器進(jìn)行氣槍位置的預(yù)校準(zhǔn);
通過手動(dòng)調(diào)節(jié)二維平移機(jī)構(gòu),將所述紅外激光器正對(duì)至少三個(gè)LED發(fā)光元件,所述主機(jī)將所述紅外激光器正對(duì)的LED發(fā)光元件的位置信息與二維平移機(jī)構(gòu)當(dāng)前的位置信息進(jìn)行綁定,以便主機(jī)根據(jù)吹氣區(qū)域的參數(shù)信息分析獲知二維平移機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)軌跡信息;
所述吹掃氣槍的材質(zhì)為PFA。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





