[發(fā)明專利]溝槽功率半導體器件及制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011171440.5 | 申請日： | 2020-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN112216743A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱袁正;周錦程 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫新潔能股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝槽 功率 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種溝槽功率半導體器件，包括漏極金屬（1）、第一導電類型襯底（2）、第一導電類型外延層（3）、第一類溝槽（4）、第二類溝槽（5）、第三類溝槽（6）、第一類氧化層（12）、第二類氧化層（13）、第三類氧化層（14）、第一類導電多晶硅（16）、第二類導電多晶硅（17）、第三類導電多晶硅（18）、第二導電類型體區(qū)（20）、第一導電類型源區(qū)（21）、絕緣介質(zhì)層（22）、源極金屬（23）、有源區(qū)（001）、第一過渡區(qū)（002）與第二過渡區(qū)（003）；
在漏極金屬（1）上設(shè)有第一導電類型襯底（2），在第一導電類型襯底（2）上設(shè)有第一導電類型外延層（3），在第一導電類型外延層（3）上設(shè)有第二導電類型體區(qū)（20），將溝槽功率半導體器件的中心區(qū)域設(shè)為有源區(qū)（001）、將有源區(qū)（001）的外圍設(shè)為第一過渡區(qū)（002）以及將第一過渡區(qū)（002）的外圍設(shè)為第二過渡區(qū)（003）；
在有源區(qū)（001）內(nèi)，在第二導電類型體區(qū)（20）上設(shè)有第一導電類型源區(qū)（21），所述第一類溝槽（4）從第一導電類型源區(qū)（21）的上表面向下穿透第二導電類型體區(qū)（20）進入第一導電類型外延層（3）內(nèi)，在第一類溝槽（4）的側(cè)壁與底面設(shè)有第一類氧化層（12），在第一類氧化層（12）內(nèi)設(shè)有第一類導電多晶硅（16），第一類導電多晶硅（16）與第一導電類型外延層（3）、第二導電類型體區(qū)（20）以及第一導電類型源區(qū)（21）之間通過第一類氧化層（12）絕緣，在第一類氧化層（12）、第一類導電多晶硅（16）與第一導電類型源區(qū)（21）上設(shè)有絕緣介質(zhì)層（22）；
在第一過渡區(qū)（002）內(nèi)，所述第二類溝槽（5）從第二導電類型體區(qū)（20）的上表面向下穿透第二導電類型體區(qū)（20）進入第一導電類型外延層（3）內(nèi)，在第二類溝槽（5）的側(cè)壁與底面設(shè)有第二類氧化層（13），在第二類氧化層（13）內(nèi)設(shè)有第二類導電多晶硅（17），第二類導電多晶硅（17）與第一導電類型外延層（3）、第二導電類型體區(qū)（20）之間通過第二類氧化層（13）絕緣，在第二類氧化層（13）、第二類導電多晶硅（17）與第二導電類型體區(qū)（20）上設(shè)有絕緣介質(zhì)層（22）；
在第二過渡區(qū)（003）內(nèi)，所述第三類溝槽（6）從第二導電類型體區(qū)（20）的上表面向下穿透第二導電類型體區(qū)（20）進入第一導電類型外延層（3）內(nèi)，在第三類溝槽（6）的側(cè)壁與底面設(shè)有第三類氧化層（14），在第三類氧化層（14）內(nèi)設(shè)有第三類導電多晶硅（18），第三類導電多晶硅（18）與第一導電類型外延層（3）、第二導電類型體區(qū)（20）之間通過第三類氧化層（14）絕緣，在第三類氧化層（14）、第三類導電多晶硅（18）與第二導電類型體區(qū)（20）上設(shè)有絕緣介質(zhì)層（22）；
在有源區(qū)（001）內(nèi)，在絕緣介質(zhì)層（22）上設(shè)有源極金屬（23），源極金屬（23）通過設(shè)置在絕緣介質(zhì)層（22）內(nèi)的通孔與第一導電類型源區(qū)（21）、第二導電類型體區(qū)（20）歐姆接觸；在第一過渡區(qū)（002）內(nèi)，源極金屬（23）通過設(shè)置在絕緣介質(zhì)層（22）內(nèi)的通孔與第二導電類型體區(qū)（20）歐姆接觸；在第二過渡區(qū)（003）內(nèi)，源極金屬（23）通過設(shè)置在絕緣介質(zhì)層（22）內(nèi)的通孔與第三類導電多晶硅（18）歐姆接觸；
其特征是：所述第一類氧化層（12）的厚度小于第二類氧化層（13）以及第三類氧化層（14）的厚度，第二類氧化層（13）與第三類氧化層（14）的厚度相等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫新潔能股份有限公司，未經(jīng)無錫新潔能股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011171440.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
