[發(fā)明專利]一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備

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• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112239856A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱剛毅;朱剛勁;朱文廓
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東騰勝科技創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/24
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

1.一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：包括真空室，真空室內(nèi)設(shè)有鍍膜輥以及沿著鍍膜輥的圓周方向依次設(shè)置的收放卷室、磁控濺射鍍膜室、第一隔氣室、氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室、第二隔氣室；用于卷繞基材的收放卷室內(nèi)設(shè)有放卷輥、第一導(dǎo)輥、第二導(dǎo)輥和收卷輥，從放卷輥出來的基材依次經(jīng)過第一導(dǎo)輥、鍍膜輥、第二導(dǎo)輥、收卷輥，磁控濺射鍍膜室內(nèi)設(shè)有磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，真空鍍膜設(shè)備還包括用于鍍防指紋膜的氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：收放卷室和磁控濺射鍍膜室之間、磁控濺射鍍膜室和第一隔氣室之間、第一隔氣室和氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室之間、氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室和第二隔氣室之間、第二隔氣室和收放卷室之間均設(shè)置有隔氣裝置，隔氣裝置與鍍膜輥之間留有供基材通過的間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括磁控靶，磁控靶的濺射方向朝向基材。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)包括產(chǎn)生原料氣體的氣態(tài)蒸發(fā)源、向基材噴射原料氣體的氣體噴射裝置，氣態(tài)蒸發(fā)源位于真空室外，氣體噴射裝置位于氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室內(nèi)，氣態(tài)蒸發(fā)源通過流量控制裝置向氣體噴射裝置傳輸原料氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：氣態(tài)蒸發(fā)源包括液體罐，液體罐的底部設(shè)有液體罐加熱子系統(tǒng)，液體罐的外部設(shè)有液體罐保溫子系統(tǒng)；氣體噴射裝置包括噴射氣管，噴射氣管上設(shè)有多個(gè)噴射孔，噴射孔的噴射方向朝向基材；流量控制裝置包括流量計(jì)，流量計(jì)通過連接氣管連接到液體罐上，流量計(jì)通過引入氣管連接到噴射氣管上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：噴射氣管上還設(shè)有噴射氣管加熱子系統(tǒng)，噴射氣管外部設(shè)有噴射氣管保溫隔熱子系統(tǒng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：磁控濺射鍍膜室的工作真空度為1*10^-1Pa-9*10^-1Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室的工作真空度為8*10^-2Pa-1*10^-3Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：收放卷室、磁控濺射鍍膜室、第一隔氣室、氣態(tài)蒸發(fā)鍍膜室、第二隔氣室上均設(shè)有抽真空系統(tǒng)和充氣系統(tǒng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于鍍防指紋膜的卷對卷真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：磁控靶為平面磁控靶或圓柱磁控靶。