[發明專利]一種電流模升降壓變換器電流檢測電路

有效

• 申請號: 202011171347.4
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112332667B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 奚冬杰;徐晴昊;李現坤
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/08;H02M1/088;G01R19/00;G01R19/10;G01R1/20;G01R1/30
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種電流模升降壓變換器電流檢測電路，其特征在于，包括二極管D1、功率管M_H、功率管M_L、驅動L模塊、驅動H模塊、電容C_O、電容C1、電感L、誤差放大器EA、電阻R_SET、負載R_L、電阻R_slope、MOS管M_N1、MOS管M_NH1、功率管柵源壓差檢測模塊、PWM比較器、RS觸發器1、RS觸發器2、Level Down模塊和Level UP模塊；

二極管D1正端接芯片內低壓電源V_{DD_Low}，負端接浮動電源軌的正端Boost；電容C1上端接正端Boost，下端接SW節點；功率管M_H漏端接V_IN，柵端接驅動H模塊輸出端，源端接SW節點；功率管M_L漏端接SW節點，柵端接驅動L模塊輸出端，源端接V_OUT-；電容C_O上端接V_OUT-，下端接GND；負載R_L上端接V_OUT-，下端接GND；電感L上端接SW節點，下端接GND；參考電流源I_REF上端接V_{DD_Low}，下端接誤差放大器EA正端；電阻R_SET上端接誤差放大器EA正端，下端接V_OUT-；誤差放大器EA負端接參考電壓源V_REF，輸出端接峰值電流限設定電壓V_C；

MOS管M_N1漏端接斜坡電流源I_slope下端，柵端接V_C，源端接電阻R_slope上端；電阻R_slope下端接V_OUT-；斜坡電流源I_slope上端接V_{DD_Low}；MOS管M_NH1漏端接V_IN，柵端接功率管柵源壓差檢測模塊的第一輸出端EN_SENSE，源端接MOS管M_N1漏端；

功率管柵源壓差檢測模塊的第一輸入端V_G(MH)接M_H柵端，第二輸出端EN_COMP接PWM比較器使能端；PWM比較器正端接M_NH1源端，負端接SW節點，輸出端接Level Down模塊輸入端；Level Down模塊輸出端接RS觸發器2的R端；RS觸發器2的S端接時鐘信號CLK，端接驅動L模塊輸入端；驅動模塊L輸出端接M_L柵端；Level UP模塊輸入端接時鐘信號CLK，輸出端接RS觸發器1的S端；RS觸發器1的R端接PWM比較器輸出端，Q端接驅動H模塊輸入端；驅動H模塊輸出端接功率管M_H柵端。

2.如權利要求1所述的電流模升降壓變換器電流檢測電路，其特征在于，所述功率管柵源壓差檢測模塊包括NMOS管MN1~MN5、PMOS管MP1~MP4、反相器INV1~INV3、電阻R1~R4、功率管M_H、電容C1和C2、與非門NAND1、或非門NOR1、施密特觸發器SMIT1和施密特觸發器SMIT2；

NMOS管MN1漏端接電阻R1下端，柵端接電阻R2上端，源端接SW節點；NMOS管MN2漏端接V_bias，柵端接NMOS管MN1漏端，源端接電阻R2上端；NMOS管MN3漏端接PMOS管MP2漏端，柵端接反向器INV3的輸出端，源端接SW節點；NMOS管MN4漏端接電阻R4下端，柵端接施密特觸發器SMIT1的輸出端，源端接SW節點；NMOS管MN5漏端接PMOS管MP4漏端，柵端接或非門NOR1的輸出端，源端接SW節點；

PMOS管MP1漏端接其自身柵端，柵端接PMOS管MP2柵端，源端接V_BOOST；PMOS管MP2漏端接NMOS管MN3漏端，柵端接PMOS管MP1柵端，源端接NMOS管MN5漏端；PMOS管MP3漏端接電阻R3上端，柵端接NMOS管MN4柵端，源端接V_BOOST；PMOS管MP4漏端接NMOS管MN5漏端，柵端接與非門NAND1的輸出端，源端接V_BOOST；

電阻R1上端接G_C信號，下端接NMOS管MN1漏端；電阻R2上端接NMOS管MN2源端，下端接SW節點；電阻R3上端接PMOS管MP3漏端，下端接電阻R4上端；電阻R4上端接電容C2上端，下端接NMOS管MN4上端；

電容C1上端接電阻R1上端，下端接電阻R1下端；電容C2上端接電阻R4上端，下端接SW節點；

反向器INV1輸入端接或非門NOR1輸出端，反向器INV1輸出端接與非門NAND1的第二輸入端；反向器INV2輸入端接與非門NAND1輸出端，反向器INV2輸出端接或非門NOR1的第一輸入端；反向器INV3輸入端接G_C信號，輸出端接NMOS管MN3柵端；

與非門NAND1的第一輸入端接G_C信號，第二輸入端接反向器INV1輸出端，輸出端接PMOS管MP4柵端；或非門NOR1的第一輸入端接反向器INV2輸出端，第二輸入端接G_C信號，輸出端接反向器INV1輸入端；

施密特觸發器SMIT1的輸入端接NMOS管MN3漏端，輸出端接PMOS管MP3柵端；施密特觸發器SMIT2的輸出端接電容C2上端，輸出端接EN_CMOP；

功率管M_H漏端接V_IN，柵端接NMOS管MN5漏端，源端接SW節點。