[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011170970.8 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112750872A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 權元柱;成香氣;丁憙星;洪相玟 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示 設備 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示設備,包括:
紅色像素、綠色像素和藍色像素,各自包括:
基板上的第一絕緣層;
所述第一絕緣層上的連接電極;
所述第一絕緣層上以覆蓋所述連接電極的第二絕緣層;
所述第二絕緣層上的有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括像素電極、包括有機發(fā)射層的中間層和相對電極;
像素限定層,所述像素限定層覆蓋所述像素電極的邊緣并且包括暴露所述像素電極的中心部分的開口,所述開口限定發(fā)射區(qū)域;和
通孔,所述通孔限定在所述第二絕緣層中,并且所述像素電極通過所述通孔連接至所述連接電極,
其中在所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素中的每一個中,所述發(fā)射區(qū)域和所述通孔之間的間隔距離不同。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中:
在所述紅色像素中,0≤d(R)≤1.2μm或d(R)≥5μm,其中d(R)為所述紅色像素中所述發(fā)射區(qū)域和所述通孔之間的所述間隔距離,并且
在所述藍色像素中,0≤d(B)≤1.2μm或d(B)≥5μm,其中d(B)為所述藍色像素中所述發(fā)射區(qū)域和所述通孔之間的所述間隔距離。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中,在所述綠色像素中,0≤d(G)≤2.8μm或d(G)≥5μm,其中d(G)為所述綠色像素中所述發(fā)射區(qū)域和所述通孔之間的所述間隔距離。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中,在所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素中的至少一個中,所述發(fā)射區(qū)域中的所述第二絕緣層的上表面具有在彼此不同的方向上傾斜的第一傾斜部分和第二傾斜部分。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中,在所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素中的至少一個中,所述發(fā)射區(qū)域中的所述第二絕緣層的上表面平行于所述基板的上表面。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,進一步包括第一布線,所述第一布線與所述連接電極在相同的層上,并且鄰近于所述綠色像素的所述發(fā)射區(qū)域放置,
其中所述綠色像素的所述發(fā)射區(qū)域和所述第一布線之間的間隔距離大于或等于1.2μm。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,進一步包括第一布線和第二布線,所述第一布線和所述第二布線與所述連接電極在相同的層上,所述發(fā)射區(qū)域在所述第一布線和所述第二布線之間,
其中所述第一布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的間隔距離等于所述第二布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的間隔距離。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述第一布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的所述間隔距離小于1.2μm。
9.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,進一步包括第一布線和第二布線,所述第一布線和所述第二布線與所述連接電極在相同的層上,所述發(fā)射區(qū)域在所述第一布線和所述第二布線之間,其中所述第一布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的間隔距離不同于所述第二布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的間隔距離,并且
所述第一布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的所述間隔距離比所述第二布線和所述發(fā)射區(qū)域之間的所述間隔距離大1.2μm或更大。
10.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素以蜂窩狀矩陣結構布置,并且
所述綠色像素的所述發(fā)射區(qū)域小于所述紅色像素和所述藍色像素的所述發(fā)射區(qū)域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





