[發明專利]一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法在審
| 申請號: | 202011170361.2 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112310124A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 順布樂;郝翠玉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
本申請提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法,顯示面板包括顯示區和非顯示區,所述顯示區包括第一金屬層,非顯示區包括:基板層;第一柵極層,設于所述基板層一側的表面;層間介電層,設于所述第一柵極層遠離所述基板層一側的表面;第二金屬層,設于所述層間介電層遠離所述基板層一側的表面,所述第二金屬層由所述非顯示區延伸至所述顯示區,與所述第一金屬層電性連接;第二平坦層,設于所述第二金屬層遠離所述基板層一側的表面。本申請將現有技術中的第一金屬層和第一平坦層刻蝕掉,轉而將顯示區的第二金屬層和第二平坦層延伸至非顯示區,由此減低刻蝕步驟帶來的第二金屬層裸露的風險,從而提高了顯示面板的穩定性。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法。
背景技術
由于有機發光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED),尤其是主動矩陣有機發光二極管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED),因為具備重量輕、自發光、廣視角、廣色域、高對比度、輕薄、驅動電壓低、能耗低、響應速度快等優點,應用范圍越來越廣泛,成為顯示技術領域研究和開發的主要領域。
隨著AMOLED顯示屏技術的發展,終端設備對顯示屏亮度均一性的要求隨之提高,但由于電阻壓降效應(IR Drop)的存在,顯示面板工作時,薄膜場效應晶體管會產生回路電流,從而會產生電阻壓降的效應,導致電源電壓上的電壓降低,使得顯示面板距離驅動IC(Integrated Circuit,集成電路)較近和距離驅動IC較遠的兩端產生亮度的不一,導致面板顯示存在亮度均一性較差的問題。
目前很多AMOLED顯示面板為改善電阻壓降效應采用一般雙層金屬走線(雙Source/Drain,雙SD)結構,即第一金屬層(SD1)和第二金屬層(SD2)連接的結構,這種結構使得顯示面板的非顯示區形成的結構,依次包括:基板襯底111、絕緣層112、第一柵極層(Gate Metal 1,GE1)113、層間介電層(Inter-layer Dielectric,ILD)114,第一金屬層(SD1)115、第一平坦層(Planarization Layer 1,PLN1)116、第二平坦層(PlanarizationLayer 2,PLN2)117和陰極118,如圖1和圖2所示,由于第一金屬層115上覆蓋有第一平坦層116,在第一平坦層116的圖案化處理中的會有灰化(Ash)刻蝕的步驟,以及對之后顯示區的第二金屬層圖案化處理中的中刻蝕(Dry Etching)的步驟,這兩個刻蝕步驟會后在第一平坦層116造成過度刻蝕,可能使得第一平坦層116在第一金屬層115的爬坡處出現刻蝕損失(Dry Loss),從而造成第一金屬層116裸露,導致第一金屬層116與陰極117短路的問題,進而使得顯示面板出現顯示不良的問題。
發明內容
本申請提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板制備方法,以解決現有顯示面板中非顯示區的金屬層容易裸露的問題。
一方面,本申請提供一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區,所述顯示區包括第一金屬層,所述非顯示區包括:
基板層;
第一柵極層,設于所述基板層一側的表面;
層間介電層,設于所述第一柵極層遠離所述基板層一側的表面;
第二金屬層,設于所述層間介電層遠離所述基板層一側的表面,所述第二金屬層由所述非顯示區延伸至所述顯示區,與所述第一金屬層電性連接;
第二平坦層,設于所述第二金屬層遠離所述基板層一側的表面。
在本申請一種可能的實現方式中,所述非顯示區還包括像素定義層,所述像素定義層設于所述第二平坦層遠離所述基板層一側的表面。
在本申請一種可能的實現方式中,所述基板層包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





