[發明專利]光傳感器封裝體的封裝方法及封裝結構的封裝方法在審
| 申請號: | 202011168651.3 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112466957A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 鄧登峰 | 申請(專利權)人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;岳丹丹 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 封裝 方法 結構 | ||
1.一種光傳感器封裝體的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
在基板背面設置底板;
在所述基板正面設置若干光傳感器單元;
對所述基板上的若干光傳感器單元進行封裝,形成光傳感器封裝體;
其中,所述底板與所述基板通過粘接層相連,以減輕封裝造成的基板翹曲。
2.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述底板的尺寸與所述基板的尺寸相同。
3.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,對所述基板上的若干光傳感器單元進行封裝的步驟包括使用模具,所述模具包括上模和下模,所述底板的厚度、所述基板的厚度以及所述粘接層的厚度之和與所述下模的模腔深度相匹配。
4.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述底板可重復利用。
5.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述底板由彎曲模量不小于100GPA的材料制成。
6.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述底板的材料為金屬、高分子材料中的任意一種。
7.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述粘接層為耐高溫雙面膠、耐高溫膠水、焊錫中的任意一種。
8.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述粘接層可耐受溫度不小于200℃。
9.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述粘結層包括基材和位于所述基材上下表面的粘接膠。
10.根據權利要求9所述的封裝方法,其特征在于,所述基材包括聚酰亞胺,所述粘接膠包括硅膠。
11.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述粘結層的厚度包括0.03-0.2mm。
12.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述底板為不銹鋼。
13.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述底板的厚度包括0.2-0.8mm,所述底板的彎曲模量包括100-300GPA。
14.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述基板包括樹脂,所述基板的厚度包括0.1-0.5mm。
15.根據權利要求14所述的封裝方法,其特征在于,所述基板的寬為3-11cm,所述基板的長為6-20cm。
16.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,每個所述光傳感器單元包括一個光接收端和至少一個光發射端。
17.根據權利要求16所述的封裝方法,其特征在于,對基板上的若干光傳感器單元進行封裝的步驟包括:
對基板上的若干光傳感器單元進行第一次封裝,形成塑封體,所述塑封體包裹基板上的所述若干光傳感器單元;
切割所述塑封體,形成所述光傳感器單元的光發射端與光接收端之間的第一隔離溝槽;
對基板上的若干光傳感器單元進行第二次封裝,所述第二次封裝用以填補所述第一隔離溝槽,形成第一隔離墻,所述第一隔離墻將所述光傳感器單元的光發射端與光接收端隔離。
18.根據權利要求17所述的封裝方法,其特征在于,所述第一次封裝采用透光塑封料,所述第二次封裝采用非透光塑封料。
19.根據權利要求17所述的封裝方法,其特征在于,所述第一次封裝和所述第二次封裝采用相同的模具。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





