[發(fā)明專利]一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011168522.4 | 申請日： | 2020-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN112174211B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 聶安民;康夢克;向建勇;牟從普;柳忠元;田永君 | 申請（專利權）人： | 燕山大學 |
| 主分類號： | C01G41/00 | 分類號： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 張建 |
| 地址： | 066004 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 摻雜 單層 硫化 二維 晶體 方法 | ||
1.一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法，其特征在于：以Cr、NaCl、WO3、S為原料，在多溫區(qū)管式爐里面以Si/SiO2為基底，通過S單質對WO3及Cr同時硫化，采用化學氣相沉積的方法制備得到Cr摻雜單層WS2二維晶體；制備方法為：將S單質用剛玉舟置于多溫區(qū)管式爐的上游，上游溫度為130-210℃，將WO3、NaCl的混合物、Cr和Si/SiO2基底用剛玉舟置于多溫區(qū)管式爐的下游，所述WO3和NaCl的混合物位于剛玉舟的前端，Si/SiO2基底位于剛玉舟的后端，Cr位于WO3和NaCl的混合物與Si/SiO2基底之間，且單獨分開放置，下游溫度為880-980℃，在氬氣的保護下，多溫區(qū)管式爐管內壓強為50-200Pa下，進行加熱硫化反應。
2.根據權利要求1所述的一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法，其特征在于：所述的氬氣的流量為20-50sccm。
3.根據權利要求1所述的一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法，其特征在于：所述硫化反應的升溫時間為30-50min，反應時間為20-50min。
4.根據權利要求1所述的一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法，其特征在于：所述方法還包括硫化反應前對所用樣品沉積基底Si/SiO2用丙酮進行超聲清洗，后用乙醇清洗，最后用N2吹干。
5.根據權利要求1所述的一種制備鉻摻雜單層二硫化鎢二維晶體的方法，其特征在于：所述方法還包括在硫化反應之前，采用氬氣對多溫區(qū)管式爐及剛玉舟進行清洗。
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