[發明專利]多硅片集成電路器件及其設計方法在審
| 申請號： | 202011168191.4 | 申請日： | 2020-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN112310070A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 馬樹永 | 申請（專利權）人： | 偉芯科技（紹興）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越城區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 集成電路 器件 及其 設計 方法 | ||
1.一種多硅片集成電路器件，其特征在于，包括：兩個以上硅片，所述兩個以上硅片上包括至少一類目標輸入輸出模塊，其中所述目標輸入輸出模塊為所述兩個以上硅片上功能相同的輸入輸出模塊，所述兩個以上硅片中不同硅片上的同一類所述目標輸入輸出模塊短接在一起并連接至一個與該類目標輸入輸出模塊對應的ESD保護電路。
2.根據權利要求1所述的多硅片集成電路器件，其特征在于，所述ESD保護電路設置在所述兩個以上硅片中的一個硅片上。
3.根據權利要求1所述的多硅片集成電路器件，其特征在于，所述ESD保護電路設置在所述兩個以上硅片之外的獨立的硅片上。
4.根據權利要求3所述的多硅片集成電路器件，其特征在于，針對每一類目標輸入輸出模塊，將該類目標輸入輸出模塊連接的ESD保護電路設置在與該類目標輸入輸出模塊對應的所述獨立的硅片上。
5.根據權利要求3所述的多硅片集成電路器件，其特征在于，每一類目標輸入輸出模塊連接的ESD保護電路設置在同一個所述獨立的硅片上。
6.根據權利要求1-5任一項所述的多硅片集成電路器件，其特征在于，所述ESD保護電路可采用二極管結構、金屬氧化物半導體（MOS）管腳或晶閘管（SCR）結構。
7.一種多硅片集成電路器件的設計方法，其特征在于，包括：
確定兩個以上硅片上的至少一類目標輸入輸出模塊，所述兩個以上硅片包含在所述多硅片集成電路器件中，所述目標輸入輸出模塊為所述兩個以上硅片上功能相同的輸入輸出模塊；
針對每一類目標輸入輸出模塊，將不同硅片上的該類目標輸入輸出模塊短接在一起；
將該類目標輸入輸出模塊連接至所述目標輸入模塊對應的ESD保護電路。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述ESD保護電路設置在所述兩個以上硅片中的一個硅片上。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述ESD保護電路設置在所述兩個以上硅片之外的獨立的硅片上。
10.根據權利要求7-9任一項所述的方法，其特征在于，所述ESD保護電路可采用二極管結構、金屬氧化物半導體（MOS）管腳或晶閘管（SCR）結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
