[發明專利]Nand存儲器的CCI噪聲預判均衡方法及相關設備

在審

• 申請號: 202011167890.7
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112289362A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 趙朔天;黎楊;段廷勇;于大治
• 申請（專利權）人: 深圳電器公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本發明實施例公開一種Nand存儲器的CCI噪聲預判均衡方法及相關設備，對于受到CCI干擾的數據頁，根據受CCI干擾的存儲單元的閾值電壓變化量預估值、第一預設映射關系對存儲單元的閾值電壓進行修正，將閾值電壓修正至Nand存儲器的多個參考電壓中的一個電壓。可以有效減少存儲單元之間的CCI干擾現象，把CCI干擾對Nand存儲器讀寫的影響降到最低，提高Nand存儲器的數據準確性。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種Nand存儲器的CCI噪聲預判均衡方法及相關設備。

背景技術

Nand存儲器是Flash內存的一種，屬于非易失性存儲設備(Non-volatileMemoryDevice)，其內部采用非線性宏單元模式，具有容量大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲。作為最為常見的存儲芯片，Nand存儲器已經被廣泛采用，特別是在消費類電子產品當中，因此，在其存儲密度不斷提升的同時，成本也越來越敏感。由于存儲器的成本取決于其芯片面積，如果可以在同一區域存儲更多數據，Nand存儲器將更具成本效益。

當前主流的Nand存儲器的存儲單元有三種類型：第一種為Single Level Cell(SLC)，1個存儲單元(Cell)可存放1bit的數據，對應0和1兩種存儲數據。第二種為MultiLevel Cell(MLC)，1個存儲單元可存放2bit的數據，可存放00、01、10和11四種數據。第三種為Triple Level Cell(TLC)，一個存儲單元可以存儲3bit的數據，可以存放000、001、010、011、100、101、110和111八種數據。

由于Nand存儲器的存儲單元之間存在寄生耦合電容，其所引發的CCI(Cell-to-Cell Interference，存儲單元間干擾)將導致存儲單元的閾值電壓發生波動和偏移，以TLCNand存儲器為例，參考圖1，圖1為通過Monte Carlo統計模擬方法可以得到CCI噪聲干擾后的TLC閾值電壓統計直方圖，相鄰單元的閾值電壓分布出現重疊區域，將導致判決出錯，進而導致錯誤讀取存儲的數據。現有技術中，采用CCI后補償算法來解決上述技術問題，CCI后補償算法常通過硬判決感知(Hard-Decision Sensing)或軟判決感知(Soft-DecisionSensing)來改善這種波動和偏移。然而，在嚴重CCI干擾的場景下(例如Nand存儲器經過多次擦除、編程(P/E)周期之后)，CCI后補償算法消除CCI噪聲的效果不佳。

發明內容

本發明實施例提供了一種Nand存儲器的CCI噪聲預判均衡方法及相關設備，可以有效減少存儲單元之間的CCI干擾現象，提高Nand存儲器的數據準確性。

第一方面，本發明實施例提供了一種Nand存儲器的CCI噪聲預判均衡方法，所述Nand存儲器包括N頁數據頁，所述方法包括：

從第N頁數據頁開始，逐頁對數據頁進行如下處理：

判斷數據頁是否受CCI干擾；

確定所述數據頁受到CCI干擾時，獲取所述數據頁中受CCI干擾的存儲單元的閾值電壓；

根據所述存儲單元對應的閾值電壓變化量預估值、第一預設映射關系對所述閾值電壓進行修正，所述第一預設映射關系為所述Nand存儲器的多個參考電壓與存儲狀態的對應關系，一個存儲狀態與一種存儲數據對應，將所述閾值電壓修正為所述多個參考電壓中的一個。

可選地，所述判斷數據頁是否受CCI干擾，包括：

獲取所述數據頁中的存儲單元的閾值電壓；

將所述閾值電壓與所述第一預設映射關系進行匹配；

若所述閾值電壓與所述參考電壓不匹配，則所述存儲單元為受CCI干擾的存儲單元，所述數據頁為受CCI干擾的數據頁；