[發明專利]一種硒化銻晶體、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 202011167874.8
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112376113B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 劉新勝;劉永軍;劉景玲;李二浩;莊玉君;程軻;杜祖亮
• 申請（專利權）人: 河南大學
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/58;C30B1/02;C30B28/02;C25B11/087;C25B1/55;C25B1/02
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 張麗

1.一種硒化銻晶體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）采用射頻磁控濺射工藝在待制膜基底上制備非晶硒化銻預制層，非晶硒化銻預制層厚度500nm ~2000nm，其中非晶硒化銻預制層中Sb:Se摩爾比=2:3；待制膜基底為SLG/Mo、SLG或SLG/FTO；非晶硒化銻預制層制備時的濺射功率為80w，濺射時間為50min~120min；

（2）將得到非晶硒化銻預制層置于雙溫區快速退火爐的一端，硒源置于另一端，并設置相應的升溫程序，硒源為硒粉或者硒粒，預制層端升溫程序具體設定為：C1：30，T1：50，C2：300，T2：300，C3：300，T3：40，C4：400，T4：600-900，C5：400，T5：終止程序，C表示溫度，單位是℃，T表示時間，單位是秒；

硒源端的溫程設定為：C1：30，T1：50，C2：400，T2：300，C3：400，T3：40，C4：480-690，T4：600-900，C5：480-690，T5：終止程序，C表示溫度，單位是℃，T表示時間，單位是秒；載氣為氬氣，載氣流量設定為100sccm，硒化氣壓設定為2 Torr~5Torr，待程序完全結束后，溫度降至200℃以下時，打開快速退火爐爐蓋，使其繼續降溫，當硒化銻薄膜端的熱電偶溫度顯示為100℃以下時，破真空，取出樣品。

2.權利要求1所述的制備方法制得的硒化銻晶體。

3.權利要求2所述的硒化銻晶體在光電化學產氫中的應用。