[發(fā)明專利]三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011167768.X
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112635480B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉沙沙;盧峰;李思晢;李兆松;高晶
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底結(jié)構(gòu)；所述基底結(jié)構(gòu)至少包括：第一子堆疊結(jié)構(gòu)；多排穿過所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)的第一子溝道孔；

在多排第一子溝道孔中的第M排第一子溝道孔上形成第一停止層；所述M為正整數(shù)；

在所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)上形成第二子堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述第二子堆疊結(jié)構(gòu)中形成多排第二子溝道孔；其中，所述多排第二子溝道孔中的第M排第二子溝道孔延伸至所述第一停止層中；所述多排第二子溝道孔中的除第M排之外的其它第二子溝道孔均延伸至對應(yīng)的第一子溝道孔中；在所述第M排第二子溝道孔所在的位置處，形成有分割頂部選擇柵極TSG的溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一停止層的材料包括鎢或者氧化鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在多排第一子溝道孔中的第M排第一子溝道孔上形成第一停止層，包括：

在所述第M排第一子溝道孔的表面形成第一溝槽；

在所述第一溝槽中填充第一材料，形成所述第一停止層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一溝槽的徑寬大于所述第M排第一子溝道孔中各第一子溝道孔的頂部徑寬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底結(jié)構(gòu)還包括：位于所述多排第一子溝道孔中的第一犧牲層；

所述方法還包括：

去除所述第一犧牲層；其中，在去除所述第一犧牲層的過程中，所述第M排第一子溝道孔中的第一犧牲層未被去除；

形成存儲器材料層，所述存儲器材料層覆蓋所述第M排第二子溝道孔的側(cè)壁和所述第一停止層的頂面，且覆蓋連通的第一子溝道孔和第二子溝道孔的側(cè)壁和底面；

對所述存儲器材料層進(jìn)行刻蝕，以去除覆蓋在所述頂面以及所述底面的存儲器材料層；

填充介質(zhì)材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底結(jié)構(gòu)還包括：多排穿過所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)的虛設(shè)第一子溝道孔；

所述在多排第一子溝道孔中的第M排第一子溝道孔上形成第一停止層時(shí)，包括：

在多排虛設(shè)第一子溝道孔上形成第二停止層；

所述在所述第二子堆疊結(jié)構(gòu)中形成多排第二子溝道孔時(shí)，包括：

在所述第二子堆疊結(jié)構(gòu)中形成多排虛設(shè)第二子溝道孔；其中，所述多排虛設(shè)第二子溝道孔均延伸至對應(yīng)的所述第二停止層中。

7.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

第一子堆疊結(jié)構(gòu)；

多排穿過所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)的第一子溝道孔；

位于多排第一子溝道孔中的第M排第一子溝道孔上的第一停止層；所述M為正整數(shù)；

位于所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)上的第二子堆疊結(jié)構(gòu)；

位于所述第二子堆疊結(jié)構(gòu)中的多排第二子溝道孔；其中，所述多排第二子溝道孔中的第M排第二子溝道孔延伸至所述第一停止層中；所述多排第二子溝道孔中的除第M排之外的其它第二子溝道均孔延伸至對應(yīng)的第一子溝道孔中；在所述第M排第二子溝道孔所在的位置處，形成有分割頂部選擇柵極TSG的溝槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一停止層的材料包括鎢或者氧化鋁。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，用于形成所述第一停止層的第一溝槽的徑寬大于所述第M排第一子溝道孔中各第一子溝道孔的頂部徑寬。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

位于所述第M排第一子溝道孔中的第一犧牲層；

存儲器材料層；所述存儲器材料層覆蓋所述第M排第二子溝道孔的側(cè)壁，且覆蓋連通的第一子溝道孔和第二子溝道孔的側(cè)壁；

位于第M排第二子溝道孔及所述連通的第一子溝道孔和第二子溝道孔中的介質(zhì)材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

多排穿過所述第一子堆疊結(jié)構(gòu)的虛設(shè)第一子溝道孔；

位于多排虛設(shè)第一子溝道孔上的第二停止層；

位于所述第二子堆疊結(jié)構(gòu)中的多排虛設(shè)第二子溝道孔；其中，所述多排虛設(shè)第二子溝道孔均延伸至對應(yīng)的第二停止層中。