[發明專利]一種MOSFET器件終端及制備方法

在審

• 申請號: 202011167534.5
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112201695A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 袁力鵬;范瑋;完顏文娟;常虹
• 申請（專利權）人: 華羿微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 黨娟娟;郭永麗

1.一種MOSFET器件終端，其特征在于，包括：源極區金屬層，柵極區金屬層，外圍截止區金屬層，dummy金屬層，氮化硅層和硅玻璃層；

所述源極區金屬層、所述柵極區金屬層、所述外圍截至區金屬層均分布在隔離氧化層上表面，且所述源極區金屬層、所述柵極區金屬層、所述外圍截至區金屬層之間以及所述外圍截至區金屬層的另一側均分布有所述dummy金屬層；

所述隔離氧化層上表面、所述dummy金屬層、所述源極區金屬層、所述柵極區金屬層、所述外圍截至區金屬層的上表面和側壁上均設置一層所述氮化硅層；

所述源極區金屬層與所述dummy金屬層之間、所述dummy金屬層與柵極區金屬層之間、所述dummy金屬層與所述外圍截至區金屬層之間還設置所述硅玻璃層。

2.如權利要求1所述的器件，其特征在于，還包括有源區溝槽，外圍溝槽，外延層；

所述外延層上設置所述有源區溝槽和外圍溝槽；

所述有源區溝槽內以及所述有源區之間的所述外延層上設置柵極氧化層；所述外圍溝槽內以及所述外圍溝槽之間的所述外延層上設置SAC氧化層，且所述外圍溝槽內的SAC氧化層的厚度大于所述有源區溝槽內的柵極氧化層的厚度；

所述有源區溝槽和所述外圍溝槽內還設置多晶硅層；位于所述有源區溝槽內的所述多晶硅層的上表面與所述柵極氧化層具有相同的高度，位于所述外圍溝槽內的所述多晶硅層的上表面與所述SAC氧化層具有相同的高度。

3.如權利要求2所述的器件，其特征在于，所述外圍溝槽的寬度大于所述有源區溝槽的寬度；

所述外圍溝槽的深度大于所述有源區溝槽的深度；

所述外圍溝槽之間的間距與所述有源區溝槽之間的間距相等。

4.如權利要求3所述的器件，其特征在于，還包括第一導電類型體區和第二導電類型源區；

所述第一導電類型體區位于所述有源區溝槽之間以及所述有源區溝槽和所述外圍溝槽之間；

位于所述有源區溝槽之間的所述第一導電類型體區上表面設置所述第二導電類型源區。

5.如權利要求4所述的器件，其特征在于，還包括外圍截至區溝槽；

所述外圍截至區溝槽與所述外圍溝槽相鄰；

所述源極區金屬層通過接觸孔金屬層分別與位于所述有源區溝槽之間以及所述有源區溝槽和所述外圍溝槽之間的所述第一導電類型體區相接觸；

所述柵極區金屬層通過接觸孔金屬層與所述多晶硅層相接觸；

外圍截止區金屬層通過接觸孔金屬層分別與位于所述外圍截至區溝槽一側的所述第一導電類型體區和位于所述外圍溝槽內的所述多晶硅層相接觸。

6.如權利要求1～5任一一項所述的器件，其特征在于，所述dummy金屬層至少包括有兩個矩形金屬條，相鄰矩形金屬條之間的間距相等；

所述dummy金屬層與相鄰的所述源極區金屬層之間的間距相等；

所述dummy金屬層與相鄰的所述柵極區金屬層之間的間距相等；

所述dummy金屬層與相鄰的所述外圍截止區金屬層之間的間距相等。

7.一種MOSFET器件終端的制備方法，其特征在于，包括：

在第一導電類型體區、多晶硅層上形成接觸孔金屬層，并通過所述接觸孔依次形成源極區金屬層、柵極區金屬層、外圍截止區金屬層；并在所述源極區金屬層與所述柵極區金屬層之間、所述柵極區金屬層與所述外圍截止區金屬層之間、所述外圍截止區金屬層的一側形成dummy金屬層；

在所述源極區金屬層、所述柵極區金屬層、所述柵極區金屬層和所述dummy金屬層的上表面、側壁以及隔離氧化層淀積一層氮化硅層；

在所述氮化硅層上形成硅玻璃層，通過回刻方式將位于所述源極區金屬層、所述柵極區金屬層、所述柵極區金屬層和所述dummy金屬層的上表面的所述氮化硅層和所述硅玻璃層刻蝕掉。