[發(fā)明專利]太陽能電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011167046.4 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112349791A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐孟雷;楊潔;張昕宇;金浩 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明實施例涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種太陽能電池及其制備方法。本發(fā)明中,太陽能電池包括:基體,正電極、負電極以及帶電鈍化層,所述基體包括相對設(shè)置的前表面和背表面,所述基體的背表面設(shè)有交替排列的P型摻雜層和N型摻雜層,所述P型摻雜層與所述正極連接,所述N型摻雜層與所述負極連接,所述帶電鈍化層位于所述前表面一側(cè),所述帶電鈍化層的帶電密度范圍為1013庫侖/平方厘米至1016庫侖/每平方厘米,所述帶電鈍化層的厚度范圍為10納米至30納米。本發(fā)明提供的太陽能電池及其制備方法,能夠在保證載流子傳輸能力的前提下,簡化太陽能電池的制備流程,降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及太陽能電池及其制備方法。
背景技術(shù)
太陽能電池是一種將光能轉(zhuǎn)化為電能的半導體器件,較低的生產(chǎn)成本和較高的能量轉(zhuǎn)化效率一直是太陽能電池工業(yè)追求的目標。對于目前常規(guī)太陽能電池,其p+摻雜區(qū)域接觸電極和n+摻雜區(qū)域接觸電極分別位于電池片的正反兩面。電池的正面為受光面,正面金屬接觸電極的覆蓋必將導致一部分入射的太陽光被金屬電極所遮擋反射,造成一部分光學損失。普通晶硅太陽能電池的正面金屬電極的覆蓋面積在7%左右,減少金屬電極的正面覆蓋可以直接提高電池的能量轉(zhuǎn)化效率。
背接觸電池,是一種將p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域均放置在電池背面(非受光面)的電池,該電池的受光面無任何金屬電極遮擋,從而有效增加了電池片的短路電流,使電池片的能量轉(zhuǎn)化效率得到提高。現(xiàn)有技術(shù)中,背接觸電池通常采用高溫熱擴散的方式,在基底前表面形成正面場或浮動發(fā)射級,以提高載流子傳輸能力,然后,在基底前表面沉積鈍化層,避免載流子在到達背表面之前就被復合而降低電池效率。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:在基底前表面采用高溫熱擴散的方式以形成正面場或浮動發(fā)射級的方案,在高溫擴散后需進行清洗,太陽能電池的制備流程復雜,生產(chǎn)成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施方式的目的在于提供一種太陽能電池及其制備方法,能夠在保證載流子傳輸能力的前提下,簡化太陽能電池的制備流程,降低生產(chǎn)成本。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實施方式提供了一種太陽能電池,包括:基體,正電極、負電極以及帶電鈍化層,所述基體包括相對設(shè)置的前表面和背表面,所述基體的背表面設(shè)有交替排列的P型摻雜層和N型摻雜層,所述P型摻雜層與所述正極連接,所述N型摻雜層與所述負極連接;所述帶電鈍化層位于所述前表面一側(cè),所述帶電鈍化層的帶電密度范圍為1013庫侖/平方厘米至1016庫侖/每平方厘米,所述帶電鈍化層的厚度范圍為10納米至30納米。
本發(fā)明的實施方式還提供了一種太陽能電池的制備方法,包括:提供基體,其中,所述基體包括相對設(shè)置的前表面和背表面;所述基體的背表面設(shè)有交替排列的P型摻雜層和N型摻雜層,所述P型摻雜層與所述正極連接,所述N型摻雜層與所述負極連接;在所述前表面一側(cè)形成帶電鈍化層,其中,所述帶電鈍化層的帶電密度范圍為1013庫侖/平方厘米至1016庫侖/每平方厘米,所述帶電鈍化層的厚度范圍為10納米至30納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





