[發明專利]一種天線及終端設備

有效

• 申請號: 202011166804.0
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN114498006B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 秦江弘;張琛;李肖峰;聶成成;張曉璐
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/16;H01Q5/20;H01Q5/10;H01Q5/378
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 劉茹

1.一種天線，其特征在于，包括：

介質板；

輻射體；

饋電網絡，所述輻射體和所述饋電網絡均形成在所述介質板的表面上，所述饋電網絡用于對所述輻射體耦合饋電；

漸變槽，開設在所述輻射體上；所述輻射體的靠近所述漸變槽的位置處具有第一開槽；

第一寄生枝節，位于所述漸變槽內，所述第一寄生枝節的一端與所述輻射體連接，另一端朝所述漸變槽的開口方向延伸；所述輻射體和所述第一寄生枝節能夠傳輸第一頻段的信號和不同于所述第一頻段的第二頻段的信號。

2.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述輻射體的饋電位置靠近所述漸變槽的最窄處設置，所述第一寄生枝節與所述輻射體的連接位置在所述漸變槽的最窄處。

3.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述天線在所述第一頻段或所述第二頻段形成的方向圖均具有零點區域，所述天線還包括：

寄生輻射結構，設置在介質板的表面上，所述寄生輻射結構所產生的輻射能夠補償所述零點區域。

4.根據權利要求2所述的天線，其特征在于，所述天線在所述第一頻段或所述第二頻段形成的方向圖均具有零點區域，所述天線還包括：

寄生輻射結構，設置在介質板的表面上，所述寄生輻射結構所產生的輻射能夠補償所述零點區域。

5.根據權利要求3所述的天線，其特征在于，所述寄生輻射結構包括：

第二寄生枝節，設置在所述介質板的表面且位于所述輻射體的旁側，所述第二寄生枝節的延伸方向與所述漸變槽的延伸方向一致，其中，所述第二寄生枝節的長度等于所述第一頻段對應波長的二分之一。

6.根據權利要求5所述的天線，其特征在于，所述輻射體位于所述介質板的第一表面上，所述第二寄生枝節位于所述介質板的第二表面上，所述第一表面與所述第二表面相對，且所述第二寄生枝節在所述第一表面上的垂直投影靠近所述輻射體的側邊。

7.根據權利要求3～6中任一項所述的天線，其特征在于，所述寄生輻射結構包括：

第三寄生枝節，設置在所述介質板的第二表面，所述輻射體位于所述介質板的第一表面，所述第一表面與所述第二表面相對；

所述輻射體的靠近所述漸變槽的位置處具有第一開槽，且所述第三寄生枝節在所述第一表面上的垂直投影的至少部分覆蓋所述第一開槽，其中，所述第三寄生枝節的長度等于所述第二頻段對應波長的二分之一。

8.根據權利要求3～6中任一項所述的天線，其特征在于，所述寄生輻射結構包括：

第二開槽，開設在所述輻射體上的遠離所述漸變槽的一側，所述第二開槽所產生的輻射能夠補償所述第二頻段形成的方向圖的零點區域。

9.根據權利要求7所述的天線，其特征在于，所述寄生輻射結構包括：

第二開槽，開設在所述輻射體上的遠離所述漸變槽的一側，所述第二開槽所產生的輻射能夠補償所述第二頻段形成的方向圖的零點區域。

10.根據權利要求8所述的天線，其特征在于，所述第二開槽的開口貫通至所述輻射體的邊緣，且所述第二開槽的長度等于所述第二頻段對應波長的四分之一。

11.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，所述第一寄生枝節和所述輻射體一體成型。

12.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，所述輻射體位于所述介質板的第一表面上，所述饋電網絡位于所述介質板的第二表面上，所述第一表面與所述第二表面相對；

所述介質板上具有穿孔，饋線穿過所述穿孔電連接所述輻射體和所述饋電網絡。

13.一種終端設備，其特征在于，包括：

如權利要求1-12任一項所述的天線。

14.根據權利要求13所述的終端設備，其特征在于，所述終端設備包括一個所述天線。