[發(fā)明專利]氣相沉積晶圓承載裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011166734.9
• 申請(qǐng)日: 2020-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN112251736A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳銘欽;劉峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州雨竹機(jī)電有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/52;H01L21/673
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 王富強(qiáng)

1.一種氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，包含：

至少一碟盤，央設(shè)有一晶圓定位通孔，并于邊緣設(shè)有一呈環(huán)狀的銜接部；以及

一大盤模塊，其具有至少一個(gè)碟盤槽以供該至少一碟盤定位，且該至少一碟盤槽設(shè)有一環(huán)槽溝以供該銜接部置入，該環(huán)槽溝銜接一入氣引道，該入氣引道相對(duì)于與該環(huán)槽溝的銜接角度的切線方向分量大于徑向方向分量，以引入氣浮氣體于該環(huán)槽溝中施力于該銜接部使該至少一碟盤懸浮及旋轉(zhuǎn)，該環(huán)槽溝銜接于一導(dǎo)出口，以供該氣浮氣體排出。

2.如權(quán)利要求1所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該入氣引道能夠?qū)⒃摎飧怏w導(dǎo)向該環(huán)槽溝的底部，該銜接部底端設(shè)有復(fù)數(shù)凸齒。

3.如權(quán)利要求1所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該大盤模塊具有一熱源面與該晶圓定位通孔所承載的晶圓對(duì)應(yīng)保持有一受熱間距，該受熱間距至少為該晶圓翹曲變形量的20倍。

4.如權(quán)利要求3所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該入氣引道的入氣端設(shè)有一流量控制閥以控制該氣浮氣體的引入流量。

5.如權(quán)利要求3所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該氣浮氣體包含至少二種帶熱效果不同的氣體，該入氣引道的入氣端設(shè)有至少二個(gè)流量控制閥以別控制該至少二種帶熱效果不同的氣體的引入流量。

6.如權(quán)利要求3所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該熱源面設(shè)置在該晶圓定位通孔的上方，該晶圓定位通孔供該晶圓以反應(yīng)面朝下的形式置放，該大盤模塊對(duì)應(yīng)于該晶圓定位通孔的下方設(shè)有一透孔。

7.如權(quán)利要求3所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該熱源面設(shè)置在該晶圓定位通孔的下方，該晶圓定位通孔供晶圓以反應(yīng)面朝上的形式置放。

8.如權(quán)利要求1所述的氣相沉積晶圓承載裝置，其特征在于，該晶圓定位通孔的邊緣設(shè)有復(fù)數(shù)承載指，每一承載指具有一傾斜承載面。