[發(fā)明專利]高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片的設(shè)計方法及產(chǎn)品和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011166148.4 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112366522B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 熊婉姝;吉晨 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01S5/50 | 分類號: | H01S5/50;H03M1/12;G02B6/12 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人: | 曹兆霞 |
| 地址: | 310013 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高重頻多 波長 超短 脈沖 光子 集成 芯片 設(shè)計 方法 產(chǎn)品 應(yīng)用 | ||
1.一種高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片的設(shè)計方法,其特征在于,設(shè)計所述鎖模光子集成芯片包括的部件有半導(dǎo)體光放大器陣列、相位延遲線陣列、能夠產(chǎn)生雙重高斯模場的多模干涉儀、平坦化的陣列波導(dǎo)光柵、飽和吸收體以及半導(dǎo)體光放大器,相鄰部件之間通過無源波導(dǎo)連接;
其中,所述半導(dǎo)體光放大器陣列分別單獨(dú)為N個不同波長的通道提供增益,N為大于等于2的整數(shù);
所述相位延遲線陣列維度與所述半導(dǎo)體光放大器陣列維度相同,所述相位延遲線陣列包含由無源波導(dǎo)材質(zhì)制作的不同長度的相位延遲線,各個長度的相位延遲線分別補(bǔ)償各波長通道的增益光由于色散效應(yīng)產(chǎn)生的不同有效光程差;
所述多模干涉儀利用雙重高斯模場對經(jīng)過有效光程差補(bǔ)償?shù)脑鲆婀馓嵘齻鬏攲拵В?/p>
所述陣列波導(dǎo)光柵通過平坦化設(shè)計對提升傳輸寬帶的增益光進(jìn)行多路復(fù)用,將N路光脈沖信號復(fù)用為1路光脈沖信號;
所述飽和吸收體連接在所述陣列波導(dǎo)光柵的輸出端,并與陣列波導(dǎo)光柵形成N個獨(dú)立而又同步的不同波長鎖模光脈沖通道;
所述半導(dǎo)體光放大器用于對所述飽和吸收體的輸出脈沖進(jìn)行增益并輸出;
通過控制鎖模光子集成芯片的時間帶寬積臨近脈沖型的轉(zhuǎn)換極限值,來降低輸出脈沖的啁啾;
在所述飽和吸收體上增加外部RF源和偏置器,利用偏置器將施加于飽和吸收體的反向偏置電壓和RF時鐘信號合并到一起,利用地-信號探針施加在飽和吸收體以實(shí)現(xiàn)混合鎖模,控制RF時鐘信號的輸出功率大于20dBm,以將光脈沖時間抖動降低到1ps以下。
2.如權(quán)利要求1所述的高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片的設(shè)計方法,其特征在于,設(shè)計所述飽和吸收體設(shè)于鎖模光子集成芯片的腔長的1/M處,對所述半導(dǎo)體光放大器陣列和所述半導(dǎo)體光放大器施加正向電流,在飽和吸收體施加反向偏置電壓,能夠?qū)崿F(xiàn)M倍于基頻的高重頻光脈沖輸出。
3.一種高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片,其特征在于,通過權(quán)利要求1或2所述的高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片的設(shè)計方法得到。
4.一種高速光子模數(shù)轉(zhuǎn)換器,其特征在于,包括所述權(quán)利要求3所述的高重頻多波長超短脈沖的鎖模光子集成芯片作為光源。
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