[發明專利]一種IGBT器件及智能功率模塊

有效

• 申請號: 202011165926.8
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112510035B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 蘭昊
• 申請（專利權）人: 廣東美的白色家電技術創新中心有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/739;H01L25/16
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括襯底、第一IGBT元胞、第二IGBT元胞、第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞依次層疊設置于所述襯底上，并由所述第一絕緣層進行隔離，所述第二絕緣層蓋設于所述第二IGBT元胞背離所述襯底的一側，所述第一絕緣層內埋設有第一柵極，所述第二絕緣層內埋設有第二柵極，所述第一柵極用于同時控制所述第一IGBT元胞和第二IGBT元胞，所述第二柵極用于至少控制所述第二IGBT元胞，所述第一柵極和所述第二柵極彼此電連接。

2.根據權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞包括：

第一漂移區；

第一體區，與所述第一漂移區的一側接觸；

所述第二IGBT元胞包括：

第二漂移區；

第二體區，與所述第二漂移區的一側接觸；

其中，所述第一柵極在所述襯底上的正投影分別與所述第一體區在所述襯底上的正投影和所述第二體區在所述襯底上的正投影至少部分重疊設置，所述第二柵極在所述襯底上的正投影與所述第二體區在所述襯底上的正投影至少部分重疊。

3.根據權利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一柵極具有沿所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞的層疊方向彼此背離的第一主表面和第二主表面，所述第一主表面與所述第一體區背離所述襯底的一側表面相對設置，所述第二主表面與所述第二體區朝向所述襯底的一側表面相對設置，所述第二柵極具有朝向所述襯底設置的第三主表面，所述第三主表面與所述第二體區背離所述襯底的一側表面相對設置。

4.根據權利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第二體區沿所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞的層疊方向劃分成兩個導電溝道，所述第一柵極和所述第二柵極分別對相鄰的所述導電溝道進行控制。

5.根據權利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞進一步共用發射極和集電極。

6.根據權利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞進一步包括第一發射區，所述第一發射區與所述第一體區接觸，并通過所述第一體區與所述第一漂移區隔離，所述第二IGBT元胞進一步包括第二發射區，所述第二發射區與所述第二體區接觸，并通過所述第二體區與所述第二漂移區隔離，所述發射極分別與所述第一發射區背離所述第一漂移區的一側表面以及所述第二發射區背離所述第二漂移區的一側表面接觸。

7.根據權利要求6所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一漂移區、所述第一發射區、所述第二漂移區和所述第二發射區具有第一摻雜類型，且所述第一發射區的摻雜濃度大于所述第一漂移區的摻雜濃度，所述第二發射區的摻雜濃度大于所述第二漂移區的摻雜濃度，所述第一體區和所述第二體區具有第二摻雜類型，所述第二摻雜類型不同于所述第一摻雜類型。

8.根據權利要求6所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件進一步包括位于所述襯底和所述第一IGBT元胞之間的第三絕緣層，所述第一發射區進一步通過所述第一體區與所述第三絕緣層隔離。