[發(fā)明專利]基板的制作方法、基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011164703.X | 申請(qǐng)日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112309989B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱小光;李成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/84 | 分類號(hào): | H01L21/84;H01L27/12;G09F9/30;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供襯底,所述襯底具有預(yù)設(shè)安裝區(qū)域,所述預(yù)設(shè)安裝區(qū)域用于安裝預(yù)設(shè)器件,所述預(yù)設(shè)安裝區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述襯底中的通孔;
在所述襯底上設(shè)置第一柔性基底層,并使所述第一柔性基底層的剝離層與所述預(yù)設(shè)安裝區(qū)相對(duì)設(shè)置;
在所述第一柔性基底層的所述剝離層上形成第一緩沖層,并在所述第一柔性基底層除所述剝離層外的區(qū)域上設(shè)置第二緩沖層;
在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層上設(shè)置第二柔性基底層,其中所述第二緩沖層與所述第二柔性基底層的粘接強(qiáng)度大于所述第一緩沖層與所述第二柔性基底層的粘接強(qiáng)度;
將所述第一緩沖層和所述剝離層從所述第二柔性基底層上移除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一緩沖層的組成材料包括有機(jī)物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板的制作方法,其特征在于,所述有機(jī)物包括非晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一緩沖層的耐熱的溫度范圍在0到475攝氏度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一緩沖層的厚度范圍為40至60埃米之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第二緩沖層的組成材料包括無(wú)機(jī)物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板的制作方法,其特征在于,所述無(wú)機(jī)物包括一氧化硅SiO。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的基板的制作方法,其特征在于,在所述第一柔性基底層的所述剝離層上形成第一緩沖層,并在所述第一柔性基底層除所述剝離層外的區(qū)域上設(shè)置第二緩沖層步驟還包括:
在所述第一緩沖層上形成所述第二緩沖層;
所述在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層上設(shè)置第二柔性基底層步驟包括:
在所述第二緩沖層上設(shè)置所述第二柔性基底層。
9.一種基板,其特征在于,所述基板采用如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的制作方法制備。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括顯示面板和如權(quán)利要求9所述的基板,其中所述顯示面板設(shè)置在所述第二柔性基底層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





