[發明專利]一種ZnO/Ti3 有效
| 申請號： | 202011164466.7 | 申請日： | 2020-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN112382686B | 公開（公告）日： | 2023-03-21 |
| 發明（設計）人： | 季小紅;曹發 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0328;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕強 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno ti base sub | ||
1.一種ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器，其特征在于，包括襯底、ZnO層、Ti3C2Tx層及Ag電極；所述ZnO層包裹在襯底表面；所述Ti3C2Tx層包裹著ZnO層；所述Ag電極有兩個，這兩個Ag電極分別與ZnO層和Ti3C2Tx層連接，所述ZnO層為在襯底上采用垂直提拉的方法制備氧化鋅凝膠層，然后氧化鋅凝膠層退火處理得到的ZnO層；所述襯底為玻璃纖維絲。
2.根據權利要求1所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器，其特征在于，所述ZnO層的厚度為200-300nm。
3.根據權利要求1所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器，其特征在于，所述Ti3C2Tx層的厚度為1.2-1.5nm。
4.一種制備權利要求1-3任一項所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在襯底上采用垂直提拉的方法制備氧化鋅凝膠層；
(2)對步驟(1)所述氧化鋅凝膠層采用退火處理，制備得到ZnO層；
(3)在步驟(2)所述ZnO層的表面上用垂直提拉的方法制備Ti3C2Tx層，所述垂直提拉的過程中，浸泡時間為10-30s；
(4)對步驟(2)所述ZnO層和步驟(3)所述Ti3C2Tx層上分別刷銀漿，在保護氣氛下進行退火處理，形成歐姆接觸，得到所述ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器，所述退火處理的溫度為120-140℃。
5.根據權利要求4所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述氧化鋅凝膠的濃度為0.2M-0.4M；步驟(1)所述垂直提拉過程中，浸泡時間為1-3min。
6.根據權利要求4所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述退火處理的溫度為300-400℃，退火處理的時間為40-80min。
7.根據權利要求4所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述退火處理的氣氛為空氣氣氛。
8.根據權利要求4所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述Ti3C2Tx層為二維單層材料。
9.根據權利要求4所述的ZnO/Ti3C2Tx線形紫外探測器的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述退火處理的時間為30-60min，所述保護氣氛為N2或Ar氣氛。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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