[發明專利]溝槽柵功率器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202011164364.5 | 申請日： | 2020-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN112233983A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 高學 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 功率 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，刻蝕所述襯底，以在所述襯底中形成溝槽；
在所述溝槽的內表面上形成一場氧化層，并進一步在所述溝槽中形成屏蔽柵以及用于形成溝槽柵的柵極凹槽；
在所述屏蔽柵上形成隔離介質層，并對所述隔離介質層回刻蝕，以保留所述屏蔽柵上的隔離介質層；
在所述柵極凹槽中填充多晶硅并回刻蝕，以形成溝槽柵；
去除所述溝槽柵所暴露出的所述隔離介質層；
生長一層柵氧化層，在所述柵級凹槽的襯底側壁形成所述柵氧化層，同時在暴露的屏蔽柵上形成柵間介質層。
2.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，在對所述隔離介質層回刻蝕之后，對所述屏蔽柵進行熱氧化，以形成柵間隔離層。
3.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，在對所述隔離介質層回刻蝕之后，所述屏蔽柵的表面高度與所述襯底的表面高度相同。
4.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，所述溝槽的截面形狀為U型。
5.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，所述隔離介質層包括氮化硅或者氮氧化硅。
6.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，對所述隔離介質層回刻蝕之后，所述隔離介質層的表面高度低于所述場氧化層的表面高度。
7.根據權利要求6所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，所述場氧化層的表面高度與所述隔離介質層的表面高度之差小于預設閾值。
8.根據權利要求1所述的溝槽柵功率器件的制備方法，其特征在于，在所述溝槽中形成屏蔽柵以及用于形成溝槽柵的柵極凹槽的步驟包括：
通過沉積工藝在所述溝槽中填充多晶硅，并回刻蝕所述多晶硅，以形成屏蔽柵；
掩蔽所述溝槽頂部兩端處的所述場氧化層，并至少刻蝕所述溝槽其余區域處的所述屏蔽柵外圍的所述場氧化層，以形成所述柵極凹槽。
9.一種溝槽柵功率器件，其特征在于，如上權利要求1-8中任一項所述的溝槽柵功率器件件的制備方法制備而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
