[發(fā)明專利]分柵快閃存儲(chǔ)器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011164347.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN112234096A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王旭峰;于濤;李冰寒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述分柵快閃存儲(chǔ)器包括：

一襯底，所述襯底上形成有浮柵層；

一控制柵結(jié)構(gòu)，所述控制柵結(jié)構(gòu)包括第一L型部分和第二L型部分，所述第一L型部分和所述第二L型部分相對(duì)且間隔覆蓋于所述浮柵上；

一金屬硅化層，所述金屬硅化層覆蓋所述控制柵結(jié)構(gòu)的頂表面；

一擦除柵，所述擦除柵貫穿所述控制柵結(jié)構(gòu)和所述浮柵層；其中，所述第一L型部分和所述第二L型部分設(shè)置于所述擦除柵兩側(cè)；

一字線柵，所述字線柵設(shè)置于所述控制柵結(jié)構(gòu)和所述浮柵層兩側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述分柵快閃存儲(chǔ)器還包括第一側(cè)墻和第二側(cè)墻；其中，所述第一側(cè)墻覆蓋所述第一L型部分和所述第二L型部分的第一側(cè)面；所述第二側(cè)墻覆蓋所述第一側(cè)墻表面、部分所述控制柵結(jié)構(gòu)以及所述浮柵層的第一側(cè)面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述分柵快閃存儲(chǔ)器還包括第三側(cè)墻，所述第三側(cè)墻覆蓋所述控制柵結(jié)構(gòu)的第二側(cè)面以及所述浮柵層的第二側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述字線柵覆蓋所述第三側(cè)墻的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述分柵快閃存儲(chǔ)器還包括源極和漏極；所述源極位于與所述擦除柵相對(duì)的所述襯底內(nèi)，所述漏極位于所述字線柵側(cè)邊的所述襯底內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述分柵快閃存儲(chǔ)器還包括ONO膜層和第一氧化層，所述ONO膜層形成于所述浮柵層和所述控制柵結(jié)構(gòu)之間，所述第一氧化層形成于所述浮柵層和所述襯底之間。

7.一種分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有浮柵層和掩模層；

在所述掩模層中形成溝槽，并暴露部分所述浮柵層；

形成控制柵層，所述控制柵層覆蓋所述掩模層及所述溝槽表面；

去除所述溝槽底部的部分所述控制柵層以及所述掩模層上的所述控制柵層，以在所述溝槽內(nèi)形成控制柵結(jié)構(gòu)，所述控制柵結(jié)構(gòu)包括相對(duì)且間隔設(shè)置的第一L型部分和第二L型部分；

在所述控制柵結(jié)構(gòu)的頂表面上形成金屬硅化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝在所述掩模層中形成所述溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述溝槽底部的部分所述控制柵層以及所述掩模層上的所述控制柵層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，所述襯底和所述掩模層之間還形成有第一氧化層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在形成所述控制柵結(jié)構(gòu)之前，所述分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法還包括：形成第一側(cè)墻；其中，所述第一側(cè)墻覆蓋所述溝槽側(cè)壁上的所述控制柵層。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在形成所述控制柵層之前，所述分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法還包括：在所述掩模層及所述溝槽的表面形成ONO膜層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在形成所述控制柵結(jié)構(gòu)之后，所述分柵快閃存儲(chǔ)器的制備方法還包括：去除所述溝槽底部的部分所述ONO膜層以及所述掩模層表面的所述ONO膜層。