[發明專利]高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法在審
| 申請號: | 202011163446.8 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112481611A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 韓旭;楊彥紅;梁靜靜;張典;周亦胄 | 申請(專利權)人: | 遼寧紅銀金屬有限公司 |
| 主分類號: | C23C24/10 | 分類號: | C23C24/10;C22F1/10;C21D9/00;C22C30/00 |
| 代理公司: | 北京煦潤律師事務所 11522 | 代理人: | 劉栩;梁永芳 |
| 地址: | 110000 遼寧省沈陽市*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 合金 葉片 激光 裂紋 修復 方法 | ||
1.一種高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟(1):清除葉片表面裂紋;
步驟(2):對經過所述步驟(1)處理后的葉片進行第一次熱處理,所述第一次熱處理用于使得所述葉片恢復原葉片性能;
步驟(3):對經過所述步驟(2)處理后的葉片進行激光熔覆處理。
2.根據權利要求1中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法在所述步驟(1)之前還包括如下步驟:檢測葉片損傷情況;
和/或,在所述步驟(3)中,在進行激光熔覆處理的同時還包括:對所述葉片同時進行預熱和感應加熱;
和/或,所述葉片的材質為高Al+Ti鎳基高溫合金。
3.根據權利要求2中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述檢測葉片損傷情況包括如下步驟:通過目視和金相分析法檢驗所述高溫合金葉片,同時用三坐標工作站和超聲波測厚儀測量葉片缺少尺寸和損傷情況,并在葉片上標記;
和/或,還包括步驟(4):將所述步驟(3)處理后的葉片輪廓進行機械拋修,并形成修復區域;
和/或,在所述步驟(1)之前,并在檢測高溫合金葉片損傷情況之后,還包括如下步驟:去除所述葉片表面的涂層及氧化物;
和/或,所述高Al+Ti鎳基高溫合金中AI和Ti含量之和高于6%。
4.根據權利要求3中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,還包括步驟(5):檢測所述步驟(4)處理后葉片修復區域的透光值。
5.根據權利要求4中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,還包括步驟(6):對所述步驟(5)處理后的葉片進行第二次熱處理,所述第二次熱處理用于消除所述激光熔覆處理后葉片的殘余應力。
6.根據權利要求5中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,還包括步驟(7):
對所述步驟(6)處理后的葉片,進行無損檢測;
根據所述無損檢測的結果以及所述透光值,判斷所述葉片是否修復成功。
7.根據權利要求6中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述去除所述葉片表面的涂層及氧化物中,采用的設備為手持式噴砂機;
和/或,所述第一次熱處理采用固溶退火熱處理980-1010℃*0.5-1h/AC;
和/或,對所述葉片依次進行預熱包括如下步驟:使用仿形火焰加熱器將葉片預熱到280-420℃;
和/或,對所述葉片進行感應加熱包括如下步驟:激光頭上安裝同步感應加熱頭,使激光熔覆區維持280-420℃;
和/或,所述激光熔覆處理包括如下步驟:采用光束質量高,小光斑激光熔覆頭,光斑直徑0.5-1mm.通過調整工藝窗口對熔覆裂紋進行抑制;優選地,所述激光熔覆處理的工藝參數為:激光功率為400~800W,采用氬氣保護,保護氣氬氣流量為8~12L/min,激光掃描速度為10~16mm/s,送粉速度為4.7~6.0g/min,道與道之間的搭接率為35~45%;
和/或,所述機械拋修包括如下步驟:使用砂帶機和氣動拋修工具對葉片輪廓機械拋修恢復;
和/或,所述第二次熱處理包括如下步驟:先進行固溶熱處理后空冷至室溫;再依次進行第一次時效處理和第二次時效處理。
8.根據權利要求6中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述無損檢測包括熒光和/或X光檢驗;
和/或,所述清除葉片表面裂紋采用的設備為氣動打磨工具。
9.根據權利要求1中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述激光熔覆處理中采用的合金成分與所述葉片成分相近,性能相當。
10.根據權利要求7中所述的高溫合金葉片激光熔覆裂紋的修復方法,其特征在于,所述機械拋修中,所述砂帶機轉速為30-40r/min,砂帶粒度80-100;
和/或,氣動拋修工具轉速為2000-2500r/min,磨頭形狀為圓柱型和針狀型,拋光頭為橡膠拋光輪;
和/或,所述手持噴砂機的壓力為0.2-0.4Mpa;優選地,砂材質為氧化鋁;優選地,砂粒粒度150-180um;
和/或,所述固溶處理的參數為:900-950℃*0.3-0.6h/AC;
和/或,第一次時效處理的參數為:720℃*8-10h/FC;第二次時效處理的參數為:620℃*8-10h/AC。
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