[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011162440.9 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112349866A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王大偉;張楊揚(yáng) | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙麗婷 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板具有貫穿所述顯示面板的通孔,包括:
襯底基板,所述襯底基板具有顯示區(qū)和圍繞所述通孔設(shè)置的通孔封裝區(qū);
擋墻,所述擋墻設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè),且位于所述通孔封裝區(qū),圍繞所述通孔設(shè)置;
第一隔離柱,所述第一隔離柱設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè),且位于所述擋墻靠近所述通孔的一側(cè);
封裝層,所述封裝層設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè),在遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向上,所述封裝層包括層疊設(shè)置的第一無機(jī)膜層、阻膜層、有機(jī)膜層和第二無機(jī)膜層,其中,
所述第一無機(jī)膜層和所述第二無機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述顯示區(qū)和所述通孔封裝區(qū);所述有機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述顯示區(qū)和所述通孔封裝區(qū)的部分區(qū)域,且靠近所述通孔的邊緣側(cè)面位于所述通孔封裝區(qū),且位于所述擋墻遠(yuǎn)離所述通孔的一側(cè);所述阻膜層在所述襯底基板上的正投影位于所述通孔封裝區(qū)內(nèi),且與所述有機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影有交疊區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:至少一個(gè)第二隔離柱,所述第二隔離柱設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè),位于所述通孔封裝區(qū)內(nèi),且位于所述擋墻遠(yuǎn)離所述通孔的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述阻膜層遠(yuǎn)離所述通孔的側(cè)端面位于所述第二隔離柱靠近或遠(yuǎn)離所述通孔的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述阻膜層的材料為氧化鋁,所述阻膜層的厚度為10nm-200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述阻膜層的材料為氮化硅,所述阻膜層的厚度為300nm-1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述第一無機(jī)膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面為粗糙表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)膜層的厚度小于10微米。
8.一種制作顯示面板的方法,其特征在于,包括:
提供襯底基板,所述襯底基板具有顯示區(qū)、通孔區(qū)以及位于所述顯示區(qū)和所述通孔區(qū)之間的通孔封裝區(qū);
在所述襯底基板的一側(cè)形成擋墻和第一隔離柱,所述擋墻位于所述通孔封裝區(qū),圍繞所述通孔區(qū)設(shè)置,所述第一隔離柱位于所述擋墻靠近所述通孔區(qū)的一側(cè);
在所述襯底基板的一側(cè)形成封裝層,在遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向上,所述封裝層包括層疊設(shè)置的第一無機(jī)膜層、阻膜層、有機(jī)膜層和第二無機(jī)膜層,其中,
所述第一無機(jī)膜層和所述第二無機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述顯示區(qū)和所述通孔封裝區(qū);所述有機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述顯示區(qū)和所述通孔封裝區(qū)的部分區(qū)域,且靠近所述通孔區(qū)的邊緣側(cè)面位于所述通孔封裝區(qū),且位于所述擋墻遠(yuǎn)離所述通孔區(qū)的一側(cè);所述阻膜層在所述襯底基板上的正投影位于所述通孔封裝區(qū)內(nèi),且與所述有機(jī)膜層在所述襯底基板上的正投影有交疊區(qū)域;
對所述通孔區(qū)進(jìn)行切割,以便形成通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,還包括:
在所述襯底基板的一側(cè)形成至少一個(gè)第二隔離柱,所述第二隔離柱位于所述通孔封裝區(qū)內(nèi),且位于所述擋墻遠(yuǎn)離所述通孔的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述阻膜層的形成方法為CVD或ALD。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的顯示面板,或由權(quán)利要求8~10中任一項(xiàng)所述的方法制作的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





