[發明專利]硅片刻蝕方法、DOSD檢測方法及硅片刻蝕裝置

在審

• 申請號: 202011162379.8
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112349583A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 衡鵬
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種硅片刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：將硅片放入預設夾具中，僅使得硅片的待刻蝕區外露，所述待刻蝕區的面積小于或等于所述硅片的背面的面積；

步驟2：將所述預設夾具放入容納有刻蝕液的刻蝕槽中，使得硅片的待刻蝕區與刻蝕液接觸，以進行刻蝕；

步驟3：將所述預設夾具從刻蝕液中取出，對硅片的被刻蝕的部分進行清洗和干燥。

2.根據權利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述步驟2中，刻蝕時間為10-60S。

3.根據權利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述預設夾具包括：一端開口的第一盒體結構和用于封堵所述第一盒體結構的開口的蓋體，所述第一盒體結構的底部具有鏤空區域以使得容納于所述第一盒體結構內的硅片的待刻蝕區外露。

4.根據權利要求3所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述蓋體或所述第一盒體結構的側壁上設置有通孔，所述通孔與真空吸附設備連接，用于抽真空使得容納有硅片的所述第一盒體結構內形成密封空間。

5.根據權利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟1之前，還包括采用熱氧化的方式形成包裹硅片保護膜。

6.根據權利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述預設夾具包括第二盒體結構，所述第二盒體結構的第一側壁上設置有刻蝕通孔，所述刻蝕通孔的面積與所述待刻蝕區的面積相同，所述第二盒體結構的與所述第一側壁相對或相鄰的側壁上設置有與刻蝕液提供設備連接的刻蝕液入口，所述第二盒體結構的與所述第一側壁相對設置的第二側壁上設置有出口。

7.根據權利要求6所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述第二盒體結構與所述第一側壁相鄰或相對的側面上設置有清潔液入口。

8.根據權利要求6所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述第二盒體結構與所述第一側壁相鄰或相對的側面上設置有干燥的惰性氣體入口。

9.根據權利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕液為含有氫氟酸的溶液。

10.一種DSOD檢測方法，其特征在于，包括：

步驟01：通過熱氧化的方式在硅片的表面形成二氧化硅保護膜；

步驟02：通過權利要求1所述的硅片刻蝕方法對硅片的背面的待刻蝕區進行刻蝕；

步驟03：在硅片的正面電鍍銅；

步驟04：對硅片正面的鍍銅區域進行計數，并根據計數結果對硅片表面的缺陷進行評估。

11.一種硅片刻蝕裝置，包括權利要求1所述的硅片刻蝕方法中的預設夾具，其特征在于，所述預設夾具包括：第二盒體結構，所述第二盒體結構的第一側壁上設置有刻蝕通孔，所述刻蝕通孔的面積與所述待刻蝕區的面積相同，所述第二盒體結構的與所述第一側壁相對或相鄰的側壁上設置有與刻蝕液提供設備連接的刻蝕液入口，所述第二盒體結構的與所述第一側壁相對設置的第二側壁上設置有出口。

12.根據權利要求11所述的硅片刻蝕裝置，其特征在于，所述第二盒體結構與所述第一側壁相鄰或相對的側面上設置有清潔液入口。

13.根據權利要求11所述的硅片刻蝕裝置，其特征在于，所述第二盒體結構與所述第一側壁相鄰或相對的側面上設置有干燥的惰性氣體入口。