[發明專利]一種抗濕納米Zn-In2 在審
| 申請號： | 202011162040.8 | 申請日： | 2020-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN112557446A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 張文惠;杜帥航;王國乾;丁素軍;岳鹿;關榮鋒;許寧 | 申請（專利權）人： | 鹽城工學院 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 殷星 |
| 地址： | 224051 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 zn in base sub | ||
本發明公開了一種抗濕納米Zn?In2O3三維結構傳感器材料及其制備方法與應用，以不同摩爾比的Zn/In為前驅物,以甘油和乙醇作為溶劑相，利用Zn2+對In2O3納米結構調控作用，采用高溫高壓溶劑熱反應，一步制備如楊桃狀、雪餅狀、梭狀三種結構的Zn?In2O3三維納米結構，該結構由于其結構特性和豐富的氧空位，將其制備成氣體傳感器，用于檢測高濕度下乙醇氣體材料應用其性能優異。此外，本發明采用的傳感器結構是由涂敷在Al2O3絕緣陶瓷管上的Zn?In2O3半導體敏感材料、以及鎳鉻合金加熱絲和加熱器組成。器件制作工藝簡單,適于大批量生產,在檢測低濃度高濕度下的乙醇方面有廣闊的應用前景。
技術領域
本發明涉及檢測高濕度乙醇氣體材料技術領域，具體涉及一種抗濕納米Zn-In2O3三維結構傳感器材料及其制備方法與應用。
背景技術
金屬氧化物半導體氣體傳感器因檢測靈敏度高，響應恢復快，操作簡單，價格低廉等特點被廣泛地應用于檢測VOC氣體。常見代表性的半導體氧化物有WO3，ZnO，In2O3，SnO2等，其中 In2O3具有電導率較高，且幾乎是上述代表性半導體氧化物傳感材料中最高的。但是，靈敏度低、響應與恢復時間長、穩定性不佳是阻礙金屬氧化物半導體氣體傳感器領域發展的瓶頸，此外，在高濕度環境中In2O3氣體傳感器的上述問題更是突出。如何開發和探尋在高濕度環境中具有高性能的In2O3氣敏材料，成為制約In2O3氣體傳感器的關鍵。
In2O3氣體傳感器在現實生活中有著非常重要和廣泛的應用，特別是在VOC氣體的檢測方面。乙醇蒸汽因其易燃易爆的性質始終是存在于我們日常生活和生產安全的潛在危險因素。因此，制作響應快速又準確的乙醇氣體傳感器是十分有意義的。
發明內容
本發明的目的在于提供了一種抗濕納米Zn-In2O3三維結構傳感器材料的制備方法，該方法簡單易行，成本低廉。
本發明的所要解決的第二個技術問題是提供了一種抗濕納米Zn-In2O3三維結構傳感器材料。
本發明的所要解決的第三個技術問題是提供了一種高敏感性能Zn/In2O3納米結構材料在檢測高濕度乙醇氣體上的應用。
為了解決上述技術問題，本發明采取的技術方案為：
一種抗濕納米Zn-In2O3三維結構傳感器材料的制備方法，以甘油和乙醇作為溶劑相，利用Zn2+對In2O3納米結構調控作用，采用高溫高壓溶劑熱反應，一步制備大小均勻的Zn-In2O3三維納米結構。
上述抗濕納米Zn-In2O3三維結構傳感器材料的制備方法，包括以下步驟：
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