[發明專利]一種高壓電荷泵有效
| 申請號: | 202011161840.8 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112134456B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 權磊;羅晟;任羅偉 | 申請(專利權)人: | 無錫中微愛芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/07 | 分類號: | H02M3/07;H02M1/088 |
| 代理公司: | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宮建華 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高壓 電荷 | ||
1.一種高壓電荷泵,其特征在于:包括控制邏輯電路(100)、泵電路開關管驅動電路(200)、防止電荷回流電路(300)和泵電路(400),所述泵電路開關管驅動電路(200)連接至所述控制邏輯電路(100)上,所述防止電荷回流電路(300)連接至所述泵電路開關管驅動電路(200)上,所述泵電路(400)連接至所述泵電路開關管驅動電路(200)和所述防止電荷回流電路(300)上;
所述控制邏輯電路(100)用于產生非交疊時鐘信號CLK1、CLK1_RS、CLK2、CLK2_RS、CLK3、CLK3_RS與CLK4、CLK4 _RS;
所述泵電路開關管驅動電路(200)包括電平轉換N電路、電平轉換P電路,PMOS管P14與NMOS管N12構成Class AB輸出驅動級,其中,電平轉換N電路輸入、輸出信號同相,其輸出信號連接到P14柵極,正電源與輸出驅動級正電源相連,負電源為零電位VSSB;電平轉換P電路輸入、輸出信號同相,其輸出信號連接到N12柵極,負電源與輸出驅動級負電源相連,正電源為零電位VSSB,其中VGL為輸入負電源,且VGL小于AVEE,所述泵電路開關管驅動電路(200)中,輸入非交疊時鐘信號被轉換成不同電壓域的信號后,分別獨立地控制輸出驅動級PMOS管與NMOS管的柵極;
所述防止電荷回流電路(300)包括PMOS管P15,用于開關管P11的防止電荷回流電路,其柵極與開關管P11源極連接到AVDD,其源極與開關管P11漏極連接到飛線電容Cf正極CPf,其漏極連接到開關管P11的柵極,用于防止飛線電容正極CPf節點電荷向AVDD回流,同樣的所述防止電荷回流電路(300)作用于開關管P12,其柵極與開關管P12源極連接到飛線電容Cf正極CPf,其源極與開關管P12漏極連接到輸出端VGH,其漏極連接于開關管P12的柵極,用于防止輸出VGH端電荷向飛線電容回流;
所述泵電路(400)包括開關管P11、開關管P12、開關管P13、開關管N11與飛線電容Cf,輸入AVDD為正電源,AVEE為負電源,用于產生輸出電壓VGH,所述開關管P12的輸出電壓VGH上連接有電容COUT。
2.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述開關管P11的驅動電路中,輸出驅動級正電源連接到CPf,負電源連接到VGL,CLK1被轉換為電壓域為VSSB~VCPf的信號,控制輸出驅動級PMOS管,CLK1_RS被轉換為電壓域為VSSB~VGL的信號,控制輸出驅動級NMOS管。
3.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述開關管N11的驅動電路中,輸出驅動級正電源連接到VGH,負電源連接到AVEE,CLK2被轉換為電壓域為VSSB~VGH的信號,控制輸出驅動級PMOS管,CLK2_RS被轉換為電壓域為VSSB~AVEE的信號,控制輸出驅動級NMOS管。
4.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述開關管P12的驅動電路中,輸出驅動級正電源連接到VGH,負電源連接到VGL,CLK4被轉換為電壓域為VSSB~VGH的信號,控制輸出驅動級PMOS管,CLK4_RS被轉換為電壓域為VSSB~VGL的信號,控制輸出驅動級NMOS管。
5.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述開關管P13的驅動電路中,輸出驅動級正電源連接到AVDD,負電源連接到VGL,CLK3被轉換為電壓域為VSSB~AVDD的信號,控制輸出驅動級PMOS管,CLK3_RS被轉換為電壓域為VSSB~VGL的信號,控制輸出驅動級NMOS管。
6.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述泵電路開關管驅動電路(200)把每個開關管的時鐘信號轉換到兩個不同電壓域,分別獨立控制開關管驅動電路的PMOS驅動管與NMOS驅動管。
7.根據權利要求1所述的一種高壓電荷泵,其特征在于:所述防止電荷回流電路(300)在非交疊時鐘死區時間內,通過關斷其所作用的開關管,避免了存儲在飛線電容與電容COUT上的電荷出現回流導致的損耗。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫中微愛芯電子有限公司,未經無錫中微愛芯電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011161840.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





