[發明專利]存儲器設備、存儲器系統以及自主駕駛裝置

在審

• 申請號: 202011161755.1
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112732173A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 勸兌晎;邊大錫;金燦鎬;金泰孝
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02;G06F12/06;G06F12/0882
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張泓

1.一種存儲器設備，包括：

第一存儲區，包括：具有多個第一存儲器單元的第一存儲器單元陣列，多個第一存儲器單元中的每個用于存儲N比特數據，其中，N是自然數，以及第一外圍電路，用于根據N比特數據存取方案控制第一存儲器單元并且被安置在第一存儲器單元陣列之下；

第二存儲區，包括：具有多個第二存儲器單元的第二存儲器單元陣列，多個第二存儲器單元中的每個用于存儲M比特數據，其中，M是大于N的自然數，以及第二外圍電路，用于根據M比特數據存取方案控制第二存儲器單元并且被安置在第二存儲器單元陣列之下，其中第一存儲區和第二存儲區被包括在單個半導體芯片中并且共享輸入和輸出接口；以及

控制器，被配置為通過響應于接收由外部傳感器獲取的感測數據向所述感測數據應用存儲在所述第一存儲區中的權重來生成計算數據，并且根據所述權重將所述計算數據存儲在所述第一存儲區或所述第二存儲區之一中。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述控制器被配置為將具有高于預先確定的參考值的權重的計算數據存儲在所述第一存儲區中，并且將具有低于所述參考值的權重的計算數據存儲在所述第二存儲區中。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，

其中，所述第一外圍電路包括第一頁緩沖電路和第一解碼器電路，并且所述第二外圍電路包括第二頁緩沖電路和第二解碼器電路，并且

其中，在其中安置有所述第一頁緩沖電路的區域小于在其中安置有所述第二頁緩沖電路的區域。

4.根據權利要求3所述的存儲器設備，

其中，所述第一存儲區和第二存儲區彼此相鄰地安置，并且

其中，根據自頂向下的視圖，所述第二外圍電路中所包括的電路設備的至少一部分被安置在所述第一存儲器單元陣列之下以與所述第一存儲器單元陣列重疊。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述第一存儲區被配置為第一存儲器平面，并且所述第二存儲區被配置為第二存儲器平面。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述第一存儲器單元陣列和所述第二存儲器單元陣列具有相同的結構。

7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述控制器被配置為與對于所述第二存儲區的第二地址的編程操作或讀取操作同時地執行對于所述第一存儲區的第一地址的編程操作或讀取操作。

8.一種存儲器系統，包括：

第一存儲器設備，被提供為第一半導體芯片；

第二存儲器設備，與所述第一存儲器設備共享數據被傳送到其的輸入和輸出總線，并且被提供為不同于所述第一半導體芯片的第二半導體芯片；和

外部接口，連接到所述輸入和輸出總線并且被配置為與外部設備傳送和接收所述數據，

其中，所述第一存儲器設備和所述第二存儲器設備中的每個包括：

第一存儲器平面，包括：具有第一存儲器單元的第一存儲器單元陣列，第一存儲器單元中的每個用于存儲N比特數據，其中，N是自然數，以及第一頁緩沖電路，被安置在第一存儲器單元陣列之下并且被配置為針對第一存儲器單元的至少一個第一選擇存儲器單元、根據N比特數據存取方案來執行編程操作和讀取操作；以及

第二存儲器平面，包括：具有第二存儲器單元的第二存儲器單元陣列，第二存儲器單元中的每個用于存儲M比特數據，其中，M是大于N的自然數，以及第二頁緩沖電路，被安置在第二存儲器單元陣列之下并且被配置為針對第二存儲器單元的至少一個第二選擇存儲器單元、根據M比特數據存取方案來執行編程操作和讀取操作。

9.根據權利要求8所述的存儲器系統，

其中，所述第一存儲器單元中的每個被配置為存儲1比特數據，并且所述第二存儲器單元中的每個被配置為存儲2比特數據，并且

其中，所述第一存儲器設備和所述第二存儲器設備中的每個進一步包括具有每個被配置為存儲3比特數據的第三存儲器單元的第三存儲器平面以及具有每個被配置為存儲4比特數據的第四存儲器單元的第四存儲器平面。