[發明專利]顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請號: | 202011161632.8 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112310123B | 公開(公告)日: | 2023-02-07 |
| 發明(設計)人: | 歐陽齊;金武謙;劉登武 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示面板以及顯示裝置,顯示面板具有顯示區,顯示區包括平面區、四個第一可拉伸區和四個第二可拉伸區,每一第一可拉伸區和每一第二可拉伸區包括若干像素單元,每一所述像素單元之間通過金屬線連接。每一像素單元采用金屬線連接,使得第一可拉伸區的像素單元和第二可拉伸區的像素單元可以拉伸,進而降低顯示面板的應力,進而提高顯示面板的性能。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板以及顯示裝置。
背景技術
瀑布屏是在以往的全面屏設計和曲面屏設計相結合,更進一步對屏占比進行提升。瀑布屏最顯著的特點就是將手機的屏幕向中框兩側一直延伸,延伸到中框的底部。和傳統的曲面屏不同,瀑布屏要求比傳統顯示屏更高的曲率,曲率要接近90度才能形成瀑布屏的觀感效果,十分震撼。
但是90度的曲率對顯示屏會產生很大的應力,特別是側邊和角落處,造成顯示面板中的膜層損壞,進而影響顯示屏的顯示效果。
發明內容
本發明提供一種顯示面板以及顯示裝置,以提高顯示面板的顯示性能。
本發明提供一種顯示面板,所述顯示面板具有顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區,所述顯示區包括平面區、四個第一可拉伸區和四個第二可拉伸區,所述平面區包括第一側邊、與所述第一側邊相鄰設置的第二側邊、與所述第一側邊相對設置的第三側邊和與所述第二側邊相對設置的第四側邊,所述第一側邊、所述第二側邊、所述第三側邊和所述第四側邊各連接一個所述第一可拉伸區,在相鄰的所述第一可拉伸區之間連接有一個所述第二可拉伸區,每一所述第一可拉伸區和每一所述第二可拉伸區包括若干像素單元,每一所述像素單元之間通過金屬線連接。
在本發明所提供的顯示面板中,所述每一所述像素單元包括一封裝部。
在本發明所提供的顯示面板中,每一所述像素單元包括像素區和圍繞所述像素區的邊框區,每一所述像素單元還包括基板、平坦層、像素定義層、發光部以及擋墻;所述平坦層設置于所述基板上;
所述像素定義層設置于所述平坦層上,所述像素定義層包括第一通孔,所述第一通孔貫穿所述像素定義層,以暴露所述像素區的平坦層;
所述發光部設置于所述第一通孔中;
所述擋墻設置于所述邊框區的平坦層上,并圍繞所述邊框區上的像素定義層設置;
所述封裝部覆蓋于所述像素定義層以及所述發光部上。
在本發明所提供的顯示面板中,所述顯示面板還包括陽極走線,所述陽極走線設置于所述像素區的平坦層上,所述像素定義層還包括第二通孔,所述第二通孔貫穿所述像素定義層以暴露所述陽極走線。
在本發明所提供的顯示面板中,所述顯示面板還包括陰極層,所述陰極層設置于所述像素定義層、所述發光部以及所述陽極走線上,并電連接所述發光部以及所述陽極走線。
在本發明所提供的顯示面板中,所述顯示面板還包括源漏極走線,所述源漏極走線設置于所述基板與所述平坦層之間,所述平坦層還包括第一接觸孔,所述第一接觸孔貫穿所述像素區的平坦層,以暴露所述源漏極走線,所述陽極走線填充于所述第一接觸孔以電連接所述源漏極走線。
在本發明所提供的顯示面板中,所述顯示面板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置于所述像素區的基板上,所述薄膜晶體管在所述基板上的投影位于所述發光部在所述基板上的投影中。
在本發明所提供的顯示面板中,所述薄膜晶體管包括柵極絕緣層、層間介質層、源極以及漏極,所述柵極絕緣層以及所述層間介質層依次層疊設置于所述基板上,所述源極以及所述漏極設置于所述層間介質層上,所述源漏極走線設置于所述層間介質層上,并與所述源極以及所述漏極同層設置,所述源漏極走線與所述源極以及所述漏極相互絕緣。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





