[發明專利]一種半透明薄膜電極及其制備方法

有效

• 申請號: 202011161627.7
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112397314B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 曹大鵬;于曉慧;張靜波;王岸晨;殷惠明
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20;H01G9/042;H01G9/048;H01M14/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 毛燕飛

1.一種制備半透明薄膜電極的方法，其特征在，包括以下步驟：

S1：按一定比例稱取半導體納米材料和透光性材料，在超聲的條件下分散于有機溶劑中，獲得混合均勻的膠狀懸浮液；所述半導體納米材料和所述透光性材料的質量比為0.1%；所述的半導體納米材料選自氧化鈦、氧化鐵、氧化鎢、氮化鉭、硫化鎘、釩酸鉍、氧化鋅的任一種或任幾種化合物的混合，所述半導體納米材料的顆粒大小為25 nm；

S2：將懸浮液均勻的涂覆在透明導電基底上，制成厚度均勻的薄膜，之后置于壓片機下在1-100MPa的壓力下壓制成半透明薄膜，得到具有半透明薄膜的電極；所述的壓力設置為4.5-20 Mpa；所制成的半透明薄膜的厚度小于或等于100微米；

步驟S1中，包括以下步驟：

S11：篩選一定顆粒尺寸的半導體納米材料均勻分散在有機溶劑中，并定容至設定的體積；

S12：按一定質量比加入透光性材料，經超聲處理一段時間后加入碘單質，之后繼續超聲處理得到膠狀懸浮液；所述的透光性材料選擇量子點材料。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：制備所述薄膜的方法包括旋涂法、滴涂法、刮涂法、電泳沉積法和靜電噴霧法。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的透明導電基底選自氟摻雜氧化錫、氧化銦錫、鋁摻雜氧化鋅玻璃或柔性基底。

4.一種半透明薄膜電極，其特征在于：包括透明導電基底及其根據權利要求1-3任一項所述的制備方法所制備的包覆在透明導電基底上的薄膜。