[發(fā)明專利]一種單晶硅傳感器芯片的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011161511.3
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112259447A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 馬群堂
• 申請（專利權(quán)）人: 南京歐拓自動化系統(tǒng)設備有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：該單晶硅傳感器芯片的加工方法包括以下步驟：

步驟一、晶圓處理工序，取適量的研磨粒，并且勾兌一定的水分，形成研磨液，利用研磨液對晶圓進行雙面研磨之后，清洗并氧化晶圓的表面，除去晶圓表面的研磨殘留物，使得晶圓的表面進行鈍化，降低晶圓表面的活性；

步驟二、取框架單元，該框架單元具有帶、環(huán)狀的框架以及該被加工物；

步驟三、根據(jù)第一參數(shù)規(guī)范和測試條件得到第一測試結(jié)果，第一測試結(jié)果包括用于指示不符合第一參數(shù)規(guī)范的晶粒位置的第一打點信息；

步驟四、在框架單元的表面形成保護膜之后，沿著該分割預定線對該被加工物照射激光束，從而沿著該分割預定線將該被加工物切斷；

步驟五、在該晶圓的背面主表面中切割基準槽，在該背面主表面中切割背槽，該背槽相對該基準槽定位，確定所需的第一芯片邊緣相對該基準槽的位置，在第一路徑中施加輻射能量，從而沿該第一路徑在該晶圓中形成第一系列改造區(qū)域；

步驟六、生成硅晶圓氧化膜，在氧化膜上的進行2次分層加工在氧化膜上進行2次常規(guī)雙面光刻腐蝕，結(jié)構(gòu)2次不同的正膠圖形轉(zhuǎn)印而成，對硅和氧化膜層各進行2次濕法腐蝕；

步驟七、對進行濕法腐蝕的晶片進行干燥40-60h；

步驟八、制得單晶硅傳感器芯片，并將其封裝，入庫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：帶被粘貼在該被加工物的正面和背面中的一方上，具有延伸性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：環(huán)狀的框架開設有開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：所述晶圓的晶體結(jié)構(gòu)在該第一系列改造區(qū)域中被改變。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：步驟七中使用干燥箱對晶片進行干燥處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的一種單晶硅傳感器芯片的加工方法，其特征在于：所述單晶硅傳感器芯片通過二氧化硅鈍化層與氮化硅絕緣層的配合作用制備而成。