[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202011161013.9 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112786796A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 岸本克史 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 習瑞恒;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板;
第一電極,布置于所述基板上;
像素定義膜,使所述第一電極的上表面暴露,并且覆蓋所述第一電極的側部;
第二電極,布置于所述第一電極上;
空穴注入層,布置于所述第一電極與所述第二電極之間,并且具有側部向所述第二電極方向凸出的上表面;
發光層,布置于所述空穴注入層與所述第二電極之間,并且具有側部向所述第二電極方向凸出的上表面;以及
電子注入層,布置于所述發光層與所述第二電極之間,
其中,定義于所述空穴注入層的所述上表面的所述側部和所述像素定義膜的交界的第一固定點與定義于所述發光層的所述上表面的所述側部和所述像素定義膜的交界的第二固定點之間的最短距離大于或等于所述發光層的介電擊穿極限距離。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
空穴傳輸層,布置于所述空穴注入層與所述發光層之間,
其中,所述空穴注入層對于所述像素定義膜的拒墨性大于所述空穴傳輸層對于所述像素定義膜的拒墨性。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
電子傳輸層,布置于所述發光層與所述電子注入層之間。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
從所述第一固定點到所述空穴注入層的所述上表面的中央的平坦部與所述空穴注入層的所述上表面的所述側部的曲率部相交的點為止的水平距離為0.5μm至3μm。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
從所述第二固定點到所述發光層的所述上表面的中央的平坦部與所述發光層的所述上表面的所述側部的曲率部相交的點為止的水平距離為0.5μm至3μm。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層對于所述像素定義膜的拒墨性大于所述發光層對于所述像素定義膜的拒墨性。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層的所述上表面的所述側部的曲率半徑大于所述發光層的所述上表面的所述側部的曲率半徑。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層的所述上表面具有“U”字形態。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層的所述上表面具有寬度大于所述空穴注入層的所述上表面的所述側部的寬度的平坦部。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層的所述上表面具有“W”字形態。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置,其特征在于,
所述空穴注入層的所述上表面的中央的平坦部的高度低于所述第一固定點的高度,所述空穴注入層的所述上表面的中央的平坦部的高度高于所述空穴注入層的所述上表面的所述側部的曲率部的最低點的高度,所述空穴注入層的所述上表面的所述平坦部的寬度大于所述空穴注入層的所述上表面的所述側部的寬度。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述發光層的所述上表面具有“U”字形態。
13.根據權利要求12所述的顯示裝置,其特征在于,
所述發光層的所述上表面的中央的平坦部的寬度大于所述發光層的所述上表面的所述側部的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





