[發明專利]一種OLED顯示面板在審
| 申請號: | 202011160490.3 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112289807A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發明(設計)人: | 吳星 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 | ||
本申請公開一種OLED顯示面板,包括陣列基板,具有有源層;基板層,所述陣列基板設于所述基板層上,所述基板層中具有導電層,所述導電層的位置至少對應所述有源層。導電層與公共電極或者接地電極相接,能夠將極化產生的電荷迅速導出,消除極化影響,從而達到消除顯示面板的圖像殘留現象的效果,避免顯示面板上的圖像殘留現象發生。
技術領域
本申請涉及顯示面板領域,尤其地涉及一種OLED顯示面板。
背景技術
隨著技術的進步,柔性顯示技術成為顯示技術領域中的一個重要的分支,柔性顯示面板具有輕質、便攜以及畫面卓越等優點,得到了越來越廣泛的應用。
在現有技術中,柔性顯示面板的柔性基板容易產生極化現象,極化電荷會造成柔性顯示面板的圖像殘留,影響柔性顯示面板的顯示效果。
以有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)為例,請參閱圖1,圖1為現有技術中提供的OLED顯示面板的結構示意圖,包括基板層110和陣列基板120,基板層110包括第一PI層11、第一緩沖層21、第二PI層12、第二緩沖層22、絕緣層30,陣列基板120包括有源層40、第一柵極層51、第一柵極絕緣層61、第二柵極層52、第二柵極絕緣層62、層間介質層70、源漏極層80和平坦層90。
在OLED顯示面板工作時,有可能會在某一畫面停留較長的時間,在這種情況下,有源層40下方容易產生極化的電荷,極化的電荷會傳導到OLED顯示面板的第一PI層11和第二PI層12。此后,當切換OLED顯示面板的畫面時,第一PI層11和第二PI層12上的極化電荷會導致在OLED顯示面板上出現圖像殘留現象,影響OLED顯示面板的顯示效果和用戶體驗。
因此,確有必要來開發一種新型的OLED顯示面板,以克服現有技術的缺陷。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種OLED顯示面板,其能夠解決現有技術中柔性顯示面板的柔性基板容易產生極化現象,極化電荷會造成柔性顯示面板的圖像殘留的問題。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED顯示面板,包括陣列基板,具有有源層;基板層,所述陣列基板設于所述基板層上,所述基板層中具有導電層,所述導電層的位置至少對應所述有源層。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述基板層包括第一PI層;第一緩沖層,設于所述第一PI層上;第二PI層,設于所述第一緩沖層上;第二緩沖層,設于所述第二PI層上;絕緣層,設于所述第二緩沖層上。
進一步的,在其他實施方式中,其中絕緣層采用二氧化硅或氮化硅,既能夠起到絕緣作用,又能夠隔絕水氧起到保護所述陣列基板的作用。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述導電層設于所述第一緩沖層和所述第二PI層之間。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述導電層設于所述第二PI層和所述第二緩沖層之間。導電層位于第二PI層的上方,能夠阻擋有源層下方極化產生的電荷傳導到下方的第二PI層。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述導電層設于所述第二緩沖層和所述絕緣層之間。在其他實施方式中,只要能保證所述導電層設于所述第一PI層和所述有源層之間即可。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述導電層的材料采用非晶硅、鉬、鋁鈦合金、銅或納米銀中的至少一種,所述導電層的厚度范圍為1nm-1000nm。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述導電層的表面電阻率小于或等于1011Ω。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述有源層在垂直于所述顯示面板方向上的正投影完全落入所述導電層在垂直于所述顯示面板方向的正投影中。因為所述有源層是TFT溝道,TFT持續工作就會在所述有源層下層產生極化電荷,所以這樣設置能阻擋產生的極化電荷往下方傳導。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





