[發(fā)明專利]基于氧化物納米線的壓力傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011159657.4 | 申請日： | 2020-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN112271248A | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧年端;李泠;姜文峰;史學(xué)文;陸叢研;耿玓;劉明 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L41/113 | 分類號： | H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;G01L1/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 劉歌 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 氧化物 納米 壓力傳感器 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于氧化物納米線的壓力傳感器結(jié)構(gòu)，包括：
襯底；
底電極，設(shè)置在襯底上；
種子層，設(shè)置在底電極上；
氧化物納米線層，設(shè)置在種子層上；
支撐層，設(shè)置在氧化物納米線上；以及
頂電極，設(shè)置在支撐層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述氧化物納米線層采用的材料包括氧化鋅納米線；
所述氧化物納米線層的厚度為100至200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述襯底采用的材料包括玻璃或者氧化硅；厚度為300至500μm；
所述底電極采用的材料包括Mo或Au，厚度為50至200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述支撐層采用的材料包括SU-8光刻膠；
所述頂電極采用的材料包括Ti/Au，所述頂電極的厚度為100至500nm。
5.一種氧化物納米線壓力傳感器的制備方法，包括：
在襯底上制備底電極；
在底電極上制備種子層；
在種子層上制備納米孔材料；
在納米孔材料中制備氧化物納米線層；
在氧化物納米線層上制作支撐層；以及
在支撐層上制作頂電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
制備所述氧化物納米線層的溫度為70至100℃；
在制備納米孔材料步驟中，所述納米孔材料是通過轉(zhuǎn)移法制備得到的；
所述種子層采用的材料為ZnO，厚度為5至10nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
制備所述底電極采用的方法包括磁控濺射法；
制備所述種子層采用的方法包括磁控濺射法；
制備所述支撐層采用的方法包括旋涂法；
制備所述頂電極采用的方法包括電子束蒸發(fā)法。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
所述氧化物納米線層采用的材料包括氧化鋅納米線；
所述氧化物納米線層的厚度為100至200nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
所述納米孔材料的孔徑為5至10nm；
所述納米孔材料為Al2O3納米孔材料、TiO2納米孔材料、SnO2納米孔材料、SiO2納米孔材料中的任一種；
所述納米孔材料的厚度為100至200nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
所述襯底采用的材料包括玻璃或者氧化硅；厚度為300至500μm；
所述底電極采用的材料包括Mo或Au，厚度為50至200nm；
所述支撐層采用的材料包括SU-8光刻膠；
所述頂電極采用的材料包括Ti/Au，所述頂電極的厚度為100至500nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011159657.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
