[發(fā)明專利]聚合物基太赫茲空間光調(diào)制器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011158928.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112480451B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈洋;郭夢(mèng)帆;林元華;南策文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C08J7/00 | 分類號(hào)： | C08J7/00;C08J5/18;G02F1/01;C08L27/16;C08L27/12 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 10008*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聚合物 赫茲 空間 調(diào)制器 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備聚合物基太赫茲空間光調(diào)制器的方法，其特征在于，包括：
(1)采用溶液法制備P(VDF-TrFE)薄膜；
(2)將所述P(VDF-TrFE)薄膜置于200～300攝氏度下靜置6～30min，以5攝氏度/分鐘以下的降溫速率退火至50攝氏度以下，以便得到聚合物基太赫茲空間光調(diào)制器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述溶液法選自刮涂法、旋涂法和朗格繆爾-布洛杰特法中的至少之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述P(VDF-TrFE)薄膜的厚度不大于120nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述制備P(VDF-TrFE)薄膜采用的基片的材質(zhì)選自玻璃、(111)取向硅、(110)取向硅、非晶硅、鉑/硅基片、二氧化硅/硅基片、聚酰亞胺和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯中的至少之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述基片的厚度為1μm～5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述P(VDF-TrFE)的分子量為5～100萬(wàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE)包括VDF與TrFE兩種共聚單元，所述VDF與TrFE的摩爾比為50:50～90:10。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述VDF與TrFE的摩爾比為50:50、60:40、70:30、80:20或者90:10。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述溶液法采用揮發(fā)性有機(jī)溶劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述揮發(fā)性有機(jī)溶劑選自甲基乙基酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、磷酸三乙酯和丙酮中的至少之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述溶液法中的溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0～8％，且所述溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不等于0。
12.一種聚合物基太赫茲空間光調(diào)制器，其特征在于，所述聚合物基太赫茲空間光調(diào)制器是采用權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述方法制備得到的。
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