[發(fā)明專(zhuān)利]多重電壓控制方法及多重電壓控制方式的高頻電源裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011156931.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112735935A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓基訓(xùn);鄭珉珠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 新動(dòng)力等離子體株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;崔春植

1.一種多重電壓控制方法，包括如下步驟：

(a)開(kāi)始對(duì)等離子負(fù)載供應(yīng)高頻電源；

(b)執(zhí)行持續(xù)高頻電源的輸出而提高該輸出的電源沖擊動(dòng)作；

(c)檢測(cè)從所述等離子負(fù)載向高頻電源側(cè)反射的反射波，判斷與所述反射波的量相對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)反射波損失量是否大于第一設(shè)定值；

(d)在滿足所述步驟(c)的情況下，將供應(yīng)于所述高頻電源的RF功率放大器的直流電壓的VDD大小限制在第一極限；

(e)在所述步驟(d)之后，判斷所述對(duì)應(yīng)反射波損失量是否小于第二設(shè)定值，所述第二設(shè)定值小于所述第一設(shè)定值；及

(f)若滿足所述步驟(e)，則再次執(zhí)行所述步驟(b)的電源沖擊動(dòng)作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重電壓控制方法，其特征在于，

所述步驟(f)之后，還包括如下的步驟：

(g)將所述VDD的大小限制在第二極限，所述第二極限大于所述第一極限。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多重電壓控制方法，其特征在于，

從所述高頻電源向所述等離子負(fù)載供應(yīng)的電力通過(guò)所述第二極限小于提前定義的設(shè)定電力。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的多重電壓控制方法，其特征在于，

所述對(duì)應(yīng)反射波損失量為通過(guò)從所述高頻電源朝向所述等離子負(fù)載的行波對(duì)比從所述等離子負(fù)載向所述高頻電源反射的反射波的比計(jì)算。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的多重電壓控制方法，其特征在于，

所述第一設(shè)定值為比所述第二設(shè)定值大2倍以上的值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多重電壓控制方法，其特征在于，

所述第一設(shè)定值具有0.2以上的值，所述第二設(shè)定值具有小于0.2的值。

7.一種多重電壓控制方式的高頻電源裝置，對(duì)等離子負(fù)載供應(yīng)高頻電源的高頻電源裝置，包括：

高頻電力發(fā)生裝置，生成所述高頻電源；

檢測(cè)模塊，設(shè)置在所述高頻電力發(fā)生裝置的輸出端，并且檢測(cè)朝向所述等離子負(fù)載的行波成分和從所述等離子負(fù)載反射的反射波成分；

比較模塊，從所述檢測(cè)模塊的檢測(cè)值比較所述行波成分和所述反射波成分，提取與所述反射波成分的量相對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)反射波損失量；

計(jì)算模塊，將所述對(duì)應(yīng)反射波損失量分別與提前設(shè)定的第一設(shè)定值及小于所述第一設(shè)定值的第二設(shè)定值對(duì)比來(lái)進(jìn)行計(jì)算；

多重控制模塊，根據(jù)所述計(jì)算模塊的輸出在電源沖擊模式和第一VDD限制模式之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換控制，所述電源沖擊模式為持續(xù)提高所述高頻電力發(fā)生裝置的輸出，所述第一VDD限制模式將供應(yīng)于所述高頻電力發(fā)生裝置的直流電壓的VDD的大小限制在提前設(shè)定的第一極限；

DC模塊，根據(jù)所述多重控制模塊的控制，控制輸入于RF功率放大器的直流電壓的VDD的大小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于消除不穩(wěn)定匹配現(xiàn)象的多重電壓控制方式的高頻電源裝置，其特征在于，

所述多重控制模塊為，使所述高頻電力發(fā)生裝置在開(kāi)始供應(yīng)電力的時(shí)間點(diǎn)以所述電源沖擊模式執(zhí)行動(dòng)作，在所述對(duì)應(yīng)反射波損失量大于所述第一設(shè)定值的情況下，以所述第一VDD限制模式執(zhí)行動(dòng)作，在以所述第一VDD限制模式執(zhí)行動(dòng)作中對(duì)應(yīng)反射波損失量降低至小于所述第二設(shè)定值的情況下，返回所述電源沖擊模式執(zhí)行動(dòng)作。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多重電壓控制方式的高頻電源裝置，其特征在于，

所述多重控制模塊為在所述電源沖擊模式之后以將所述VDD的大小限制在第二極限的第二VDD限制模式執(zhí)行動(dòng)作，所述第二極限大于所述第一極限。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多重電壓控制方式的高頻電源裝置，其特征在于，

從所述高頻電力發(fā)生裝置向所述等離子負(fù)載供應(yīng)的電力通過(guò)所述第二極限小于提前定義的設(shè)定電力。