[發明專利]一種金摻雜液相外延碲鎘汞材料電學性能穩定性控制方法有效
| 申請號： | 202011156074.6 | 申請日： | 2020-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN113410124B | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 孔金丞;宋林偉;吳軍;李東升;黃元晉;王文金;王志斌;陳姍;黃蓓;陶麗明;姬榮斌 | 申請（專利權）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/101 |
| 代理公司： | 昆明今威專利商標代理有限公司 53115 | 代理人： | 賽曉剛 |
| 地址： | 650221 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 外延 碲鎘汞 材料 電學 性能 穩定性 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金摻雜液相外延碲鎘汞材料電學性能穩定性控制方法，其特征在于：
在金摻雜碲鎘汞材料液相外延生長前，對碲鋅鎘襯底進行鎘飽和退火，消除碲鋅鎘襯底中的鎘空位，控制碲鎘汞熱處理時金摻雜原子向碲鋅鎘襯底中的擴散富集；所述對碲鋅鎘襯底進行鎘飽和退火包括：
在進行碲鋅鎘晶體表面磨拋處理前，將碲鋅鎘晶體放置于真空石英管中，以鎘作為補充源，補充源溫度略低于碲鋅鎘晶體樣品的溫度。
2.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述對碲鋅鎘襯底進行退火包括：
在鎘飽和氛圍下進行退火，退火溫度范圍500℃～600℃。
3.根據權利要求2所述的控制方法，其特征在于：
所述的退火持續到完全消除碲鋅鎘襯底的鎘空位為止；
所述的退火持續時間48h以上。
4.根據權利要求1-3任一項所述的控制方法，其特征在于：
所述的補充源溫度略低于碲鋅鎘晶體樣品的溫度5℃～10℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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