[發明專利]一種用于碲鋅鎘晶體制備過程中生長坩堝的SiC支撐托有效
| 申請號： | 202011156052.X | 申請日： | 2020-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN114481288B | 公開（公告）日： | 2023-06-20 |
| 發明（設計）人： | 趙鵬;姜軍;孔金丞;陳少璠;趙文;庹夢寒;袁綬章;王靜宇;姬榮斌 | 申請（專利權）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/48 |
| 代理公司： | 昆明今威專利商標代理有限公司 53115 | 代理人： | 賽曉剛 |
| 地址： | 650221 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 碲鋅鎘 晶體 制備 過程 生長 坩堝 sic 支撐 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于碲鋅鎘晶體制備過程中生長坩堝的SiC支撐托，包括底座基體（1），其特征在于：
所述底座基體（1）為柱體形狀，底座基體（1）的上端面為與生長坩堝底面形狀相吻合的弧面凹槽（2），用于提取晶體生長過程中生長坩堝底部的熱量，在減小應力對生長坩堝損傷的同時建立穩定、理想的晶體生長熱場條件；
所述弧面凹槽（2）的截面弧形所在圓的外直徑與生長坩堝等徑段外徑相同，其內直徑比生長坩堝的籽晶段外徑大且用SiC粉（5）填充；
在所述弧面凹槽（2）的凹面與底座基體（1）的外側設置圓角（3）；
所述底座基體（1）的下端面挖去一個與其同心的一個圓柱體（4），用于嵌套于晶體生長的長晶桿頂端，保障晶體生長過程中生長坩堝居于長晶爐中心。
2.根據權利要求1所述的SiC支撐托，其特征在于：
所述底座基體（1）的長度和生長坩堝等徑部分的長度相同。
3.根據權利要求1所述的SiC支撐托，其特征在于：
所述底座基體（1）為圓柱體形狀。
4.根據權利要求1至3任一項所述的SiC支撐托，其特征在于：
所述SiC支撐托適用于垂直布里奇曼法和垂直溫度梯度凝固法生長碲鋅鎘單晶。
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