[發明專利]像素排布結構、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202011155984.2 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN112271201B | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 李鑫;韓城;曹席磊;白珊珊;張智輝;樊星;李彥松 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 張玲玲 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排布 結構 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請提供一種像素排布結構、顯示面板及顯示裝置。像素排布結構包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素位于第一虛擬四邊形的中心位置處和四個頂角位置處。第一虛擬四邊形的四個側邊的中點位置處分別設有一個第二子像素;第一虛擬四邊形由四個第二虛擬四邊形構成,第二虛擬四邊形由位于第一虛擬四邊形相鄰兩個側邊中點位置處的兩個第二子像素、與該兩個第二子像素均相鄰且分別位于第一虛擬四邊形的中心位置處和一個頂角位置處的第一子像素作為頂角順次相連形成。其中兩個第二虛擬四邊形內分別設有一個第二子像素,另外兩個第二虛擬四邊形內分別設有一個第三子像素,且第三子像素所在的兩個第二虛擬四邊形不相鄰。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種像素排布結構、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)具有寬視角、響應快、對比度高等優點,已經被普遍應用在顯示設備中。
OLED顯示設備通常會采用SPR(Sub Pixel Rendering,像素渲染技術)來在現有的像素結構上提升顯示面板顯示時的像素分辨率。但是現有的像素結構在使用SPR時,顯示面板的混色效果不好,均一性不高,影響用戶的使用體驗。
發明內容
根據本申請實施例的第一方面,提供了一種像素排布結構。所述像素排布結構包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素位于第一虛擬四邊形的中心位置處和所述第一虛擬四邊形的四個頂角位置處;
所述第一虛擬四邊形的四個側邊的中點位置處分別設有一個所述第二子像素;所述第一虛擬四邊形由四個第二虛擬四邊形構成,所述第二虛擬四邊形由位于所述第一虛擬四邊形相鄰兩個側邊中點位置處的兩個所述第二子像素、與該兩個所述第二子像素均相鄰且分別位于所述第一虛擬四邊形的中心位置處和所述第一虛擬四邊形的一個頂角位置處的所述第一子像素作為頂角順次相連形成;
所述四個第二虛擬四邊形中,其中兩個所述第二虛擬四邊形內分別設有一個所述第二子像素,另外兩個所述第二虛擬四邊形內分別設有一個所述第三子像素,且所述第三子像素所在的兩個所述第二虛擬四邊形不相鄰。
在一個實施例中,位于所述第二虛擬四邊形內的所述第二子像素位于該第二虛擬四邊形的中心位置處;和/或,位于所述第二虛擬四邊形內的所述第三子像素位于該第二虛擬四邊形的中心位置處。
在一個實施例中,所述第二子像素為長條形;同一所述第二虛擬四邊形內,位于該第二虛擬四邊形的中心位置處的所述第二子像素的延伸方向與位于該第二虛擬四邊形的頂角位置處的兩個所述第二子像素的延伸方向相交。
在一個實施例中,同一所述第二虛擬四邊形內,位于該第二虛擬四邊形的頂角位置處的兩個所述第二子像素的延伸方向分別與位于該第二虛擬四邊形的中心位置處的所述第二子像素的延伸方向互相垂直。
在一個實施例中,所述第一子像素的面積小于所述第三子像素的面積,位于所述第二虛擬四邊形內的第二子像素的延伸方向與位于該第二虛擬四邊形的頂角位置處的兩個所述第一子像素的中心的連線平行;位于所述第二虛擬四邊形的頂角位置處的兩個所述第二子像素的延伸方向分別與該兩個所述第二子像素的中心的連線平行。
在一個實施例中,所述第一子像素的形狀為圓角正方形或正方形;同一所述第二虛擬四邊形中,位于頂角位置處的所述第一子像素的與位于中心位置處的所述第二子像素距離最小的直邊與該第二子像素的延伸方向垂直;和/或,
所述第三子像素的形狀為圓角正方形或正方形;同一所述第二虛擬四邊形中,所述第三子像素的與位于頂角位置處的所述第二子像素距離最小的直邊與該第二子像素的延伸方向平行。
在一個實施例中,所述第一子像素為紅色子像素,所述第二子像素為綠色子像素,所述第三子像素為藍色子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





