[發(fā)明專利]一種高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011155247.2 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112414807B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 靳常青;何鑫;馮少敏 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N1/28 | 分類號(hào): | G01N1/28;G01N27/04;G01N27/72;G01N19/00;G01N3/08 |
| 代理公司: | 北京天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 吳利芳 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 實(shí)驗(yàn) 表征 一體化 組合 方法 | ||
1.一種高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述組合方法包括:
S1、利用上壓砧和下壓砧在金屬封墊上預(yù)壓出一個(gè)凹痕;
S2、在凹痕的中心位置打一個(gè)第一小孔,第一小孔的孔徑略小于砧面直徑;之后將絕緣材料填充到第一小孔及其周邊,形成一層覆蓋整個(gè)壓痕的薄層;在薄層中間打一個(gè)第二小孔,作為放置樣品的高壓腔,其中第二小孔的直徑小于第一小孔;
S3、將金屬封墊裝配在下壓砧上,將高壓腔用傳壓介質(zhì)填滿、壓實(shí)后,在中心位置去掉部分傳壓介質(zhì),為樣品留好空間;
S4、采用磁控濺射鍍膜在上壓砧的砧面上制備內(nèi)電極;
S5、采用磁控濺射鍍膜在制備了內(nèi)電極的上壓砧的砧面上制備樣品;
S6、在薄層上擺放外電極,外電極通過導(dǎo)線與測試儀表連接在一起;
S7、將上壓砧和下壓砧合緊,樣品被傳壓介質(zhì)包裹,同時(shí)內(nèi)外電極相互擠壓緊密接觸,形成從測試儀表到樣品的多條電流通路,至此完成樣品制備;能夠進(jìn)行電學(xué)表征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述S4包括:
S401、設(shè)計(jì)內(nèi)電極的圖形;
S402、內(nèi)電極掩膜制作;
S403、內(nèi)電極掩膜與上壓砧裝配;
S404、濺射鍍膜制備內(nèi)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述S401中,所述內(nèi)電極(1)包括外側(cè)的用于與外電極相連的第一部(11)和內(nèi)側(cè)的用于與樣品連接的第二部(12),所述第一部(11)為長方形,所述第二部(12)為銳角三角形,所述第一部(11)的一條邊長的一部分作為第二部(12)的底邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述S403中,所述內(nèi)電極掩膜與上壓砧裝配中,保證掩膜與上壓砧的砧面緊密貼合。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述S404中,鍍內(nèi)電極之前,上壓砧表面先鍍一層Ti作為過渡層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的高壓實(shí)驗(yàn)制樣表征一體化組合方法,其特征在于,所述S5包括:
S501、設(shè)計(jì)樣品圖形;
S502、根據(jù)樣品圖形,制作樣品掩膜,并將樣品掩膜與上壓砧裝配,樣品掩膜對(duì)準(zhǔn)上壓砧砧面上已經(jīng)制作好的內(nèi)電極中間所留出的空間;
S503、濺射鍍膜制備樣品。
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