[發(fā)明專利]一種高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011155119.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112371986B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳國芳;馬俊;王寧宇;高沖;牛立斌;王延年
• 申請（專利權(quán)）人: 寧夏榮華緣特種新材料有限公司
• 主分類號: B22F9/08
• 分類號: B22F9/08;B22F1/142;B22F3/14;B22F3/24;H01L23/29
• 代理公司: 西安恒泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216
• 代理人: 李婷;國旭東

1.一種高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法，其特征在于，該方法按照以下步驟進(jìn)行：

步驟S1、以霧化沉積-快速凝固法制備高硅鋁合金粉末；

步驟S2、將得到的高硅鋁合金粉末裝入鋁包套后進(jìn)行熱除氣處理；

步驟S3、對熱除氣處理后的鋁包套進(jìn)行致密化處理，制得高硅鋁合金預(yù)制體；

步驟S4、對得到的高硅鋁合金預(yù)制體進(jìn)行半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)，冷卻處理得到高硅鋁合金初產(chǎn)品；

步驟S5、對得到的高硅鋁合金初產(chǎn)品進(jìn)行固溶和時效處理得到高硅鋁合金電子封裝材料；

所述的預(yù)處理具體包括熱除氣處理和致密化處理；

步驟S1制備的高硅鋁合金粉末的含硅量為50％，粉末平均粒徑＝-200目；

步驟S2所述的熱除氣處理具體操作包括：將密封好的鋁包套加熱到200℃保溫30，隨后繼續(xù)加熱至300～350℃保溫60～90min；

步驟S3所述的對熱除氣處理后的鋁包套進(jìn)行致密化預(yù)處理，制得高硅鋁合金預(yù)制體具體包括：將熱除氣處理后的鋁包套放入高合金鋼模具，在通有惰性氣體氣氛的振蕩熱壓燒結(jié)爐中，以10℃/min的加熱速率加熱至150℃，然后在150MPa的壓力下保壓90min；

其中，步驟S4具體包括以下子步驟：

步驟S41、將得到的高硅鋁合金預(yù)制體裝入高合金鋼熱壓模具，在通有惰性氣體氣氛的振蕩熱壓燒結(jié)爐中，以8℃/min的升溫速率加熱到450℃后進(jìn)行保壓處理，保壓壓力為40MPa，保壓時間為60min；

步驟S42、以5℃/min的升溫速率繼續(xù)加熱至630℃后進(jìn)行振蕩熱壓燒結(jié)處理得到高硅鋁合金初產(chǎn)品，所述振蕩熱壓燒結(jié)處理的振蕩壓力為35±5MPa，振蕩頻率為1HZ，燒結(jié)時間為90min；

步驟S43、將高合金鋼熱壓模具與高硅鋁合金初產(chǎn)品隨爐冷卻至室溫得到高硅鋁合金初產(chǎn)品；

步驟S5所述的固溶和時效處理具體包括：在450℃的溫度條件下進(jìn)行1h～3h的固溶處理，然后在150℃下進(jìn)行2h的時效處理；

步驟S43所述的將高合金鋼熱壓模具與高硅鋁合金初產(chǎn)品隨爐冷卻至室溫得到高硅鋁合金初產(chǎn)品具體包括：以8℃/min的降溫速率將振蕩熱壓燒結(jié)爐的溫度降至450℃，然后以5℃/min的降溫速率將振蕩熱壓燒結(jié)爐的溫度降至200℃，隨后卸壓，自然冷卻。

2.如權(quán)利要求1所述的高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣、氮?dú)饣驓鍤狻?/p>