[發明專利]外延設備及其測溫裝置

在審

• 申請號: 202011155006.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112420473A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 郭雪嬌;趙海洋
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;G01J5/00
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種外延設備及其測溫裝置，用于測量位于工藝腔室內的被測物體的溫度，工藝腔室朝向測溫裝置的一側設有測溫窗，測溫裝置包括：紅外測溫部，所述紅外測溫部固定安裝于所述工藝腔室之外，且沿所述測溫窗的軸向，所述紅外測溫部的投影位于所述測溫窗之外；反射部，所述反射部轉動安裝于所述工藝腔室之外，所述反射部可轉動，以將所述被測物體輻射出，且穿過所述測溫窗的紅外輻射能量反射至所述紅外測溫部。上述技術方案可以解決目前溫度測量設備通過電動滑軌安裝，溫度測量過程中，需要使溫度測量設備位于基座上方，導致溫度測量設備長期處于高溫狀態，造成溫度測量設備的使用壽命嚴重下降的問題。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，尤其涉及一種外延設備及其測溫裝置。

背景技術

在半導體加工過程中，外延工藝通常需要在高溫條件下進行，為了提升外延效率，通常借助多片外延設備同時對多個硅片進行外延工藝。為了對多個硅片進行加熱，通常將多個硅片環繞地放置在基座上，且在基座的下方設置多個加熱線圈，且在外延過程中，使基座保持旋轉。為了保證多個硅片的溫度相同，通常需要對加熱線圈的溫場分布進行測量，由于外延過程中，基座通常保持旋轉，進而一般僅需在加熱線圈的半徑方向選取多個點位進行溫度測量，以對應調整多個加熱線圈的加熱參數，使所加熱的多個硅片的溫度基本相等。

目前，通常在基座上方設置溫度測量設備，且借助電動滑軌等移動機構帶動溫度測量設備在基座的上方移動，以測量基座上半徑方向上多個不同位置處的溫度，由于基座的溫度通常較高，由于溫度測量設備需要移動至基座上方對基座的溫度進行測量，導致溫度測量設備長期處于高溫狀態，造成溫度測量設備的使用壽命嚴重下降。

發明內容

本發明公開一種外延設備及其測溫裝置，以解決目前溫度測量設備通過電動滑軌安裝，溫度測量過程中，需要使溫度測量設備位于基座上方，導致溫度測量設備長期處于高溫狀態，造成溫度測量設備的使用壽命嚴重下降的問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

第一方面，本發明公開了一種測溫裝置，用于測量位于工藝腔室內的被測物體的溫度，所述工藝腔室朝向所述測溫裝置的一側設有測溫窗，所述測溫裝置包括：

紅外測溫部，所述紅外測溫部固定安裝于所述工藝腔室之外，且沿所述測溫窗的軸向，所述紅外測溫部的投影位于所述測溫窗之外；

反射部，所述反射部轉動安裝于所述工藝腔室之外，所述反射部可轉動，以將所述被測物體輻射出，且穿過所述測溫窗的紅外輻射能量反射至所述紅外測溫部。

第二方面，本發明還公開了一種外延設備，包括工藝腔室、承載基座和上述測溫裝置，所述工藝腔室設有測溫窗，所述承載基座設置于所述工藝腔室內，所述紅外測溫部固定安裝于所述工藝腔室之外，且沿所述測溫窗的軸向，所述紅外測溫部的投影位于所述測溫窗之外；所述反射部轉動安裝于所述工藝腔室之外，所述反射部可轉動，以將所述承載基座輻射出，且穿過所述測溫窗的紅外輻射能量反射至所述紅外測溫部。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本發明實施例公開一種測溫裝置，該測溫裝置能夠測量位于工藝腔室之內的被測物體的溫度。工藝腔室朝向測溫裝置的一側設置有測溫窗，從而保證工藝腔室內的被測物體輻射出的紅外輻射能量能夠通過測溫窗輻射至測溫裝置，保證測溫裝置能夠測量被測物體的溫度。

其中，測溫裝置包括紅外測溫部和反射部，紅外測溫部固定在工藝腔室之外，反射部在轉動安裝在工藝腔室之外，反射部能夠反射紅外輻射能量，從而通過使反射部轉動，保證在紅外測溫部保持固定的情況下，被測物體上不同位置處輻射出的紅外輻射能量也均能夠輻射至紅外測溫部內，從而借助紅外測溫部測量被測物體上不同位置處的溫度。