[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202011154837.3 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN113314565A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發明(設計)人: | 趙允鍾;成碩濟;李圣俊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;姜長星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本公開涉及顯示裝置,根據一實施例的顯示裝置包括:基板;多晶半導體,包括位于基板上的驅動晶體管的溝道、第一電極以及第二電極;驅動晶體管的柵極電極,位于驅動晶體管的溝道上;第一維持電極,位于驅動晶體管的柵極電極上;第三晶體管的光阻擋層以及第七晶體管的光阻擋層,位于基板上;氧化物半導體,包括第三晶體管的溝道、第一電極、第二電極以及第七晶體管的溝道、第一電極以及第二電極,其中,第三晶體管的溝道、第一電極、第二電極位于第三晶體管的光阻擋層上,第七晶體管的溝道、第一電極、第二電極位于第七晶體管的光阻擋層上;第三晶體管的柵極電極,位于第三晶體管的溝道上;以及第七晶體管的柵極電極,位于第七晶體管的溝道上。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置。
背景技術
有機發光顯示裝置包括兩個電極以及位于其之間的有機發光層,從一個電極注入的電子(electron)和從另一電極注入的空穴(hole)在有機發光層結合而形成激子(excition)。激子從激發態(exited state)變為基態(ground state)而發出能量來發光。
這樣的有機發光顯示裝置包括包含有作為自發光元件的有機發光二極管的多個像素,在各個像素形成有用于驅動有機發光二極管的多個晶體管以及一個以上的電容器(Capacitor)。多個晶體管基本包括開關晶體管以及驅動晶體管。
為了提升有機發光顯示裝置的分辨率而增加像素的數量,為了實現穩定的視頻,在高速驅動的過程中開口率可能減小,并且電流密度可能增加,驅動電壓可能增加。據此,存在發生斑點并且晶體管等元件的可靠性降低的問題點。
發明內容
實施例用于使顯示裝置穩定地驅動,提升可靠性并且改善消耗電力。
根據一實施例的顯示裝置包括:基板;多晶半導體,包括位于所述基板上的驅動晶體管的溝道、第一電極以及第二電極;驅動晶體管的柵極電極,位于所述驅動晶體管的溝道上;第一維持電極,位于所述驅動晶體管的柵極電極上;第三晶體管的光阻擋層以及第七晶體管的光阻擋層,位于所述基板上;氧化物半導體,包括第三晶體管的溝道、第一電極、第二電極以及第七晶體管的溝道、第一電極以及第二電極,其中,所述第三晶體管的溝道、第一電極、第二電極位于所述第三晶體管的光阻擋層上,所述第七晶體管的溝道、第一電極、第二電極位于第七晶體管的光阻擋層上;第三晶體管的柵極電極,位于所述第三晶體管的溝道上;以及第七晶體管的柵極電極,位于所述第七晶體管的溝道上,其中,所述第三晶體管的光阻擋層與所述第一維持電極位于同一層,所述第七晶體管的光阻擋層與所述驅動晶體管的柵極電極位于同一層。
所述驅動晶體管可以具有p型晶體管特性,所述第三晶體管以及所述第七晶體管可以具有n型晶體管特性。
所述第三晶體管的光阻擋層可以與所述第三晶體管的溝道以及所述第三晶體管的柵極電極重疊,所述第七晶體管的光阻擋層可以與所述第七晶體管的溝道以及所述第七晶體管的柵極電極重疊。
根據一實施例的顯示裝置還可以包括:第一柵極絕緣膜,位于所述多晶半導體和所述驅動晶體管的柵極電極之間;第二柵極絕緣膜,位于所述驅動晶體管的柵極電極和所述第一維持電極之間;第一層間絕緣膜,位于所述第三晶體管的光阻擋層和所述氧化物半導體之間,并位于所述第七晶體管的光阻擋層和所述氧化物半導體之間;第三柵極絕緣膜,位于所述氧化物半導體和所述第三晶體管的柵極電極之間,并位于所述氧化物半導體和所述第七晶體管的柵極電極之間;以及第二層間絕緣膜,位于所述第三晶體管的柵極電極以及所述第七晶體管的柵極電極上。
根據一實施例的顯示裝置還可以包括:連接電極,連接所述驅動晶體管的第二電極和所述第三晶體管的第一電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





