[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011154664.5 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN112410760B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王帥偉 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝設(shè)備 中的 工藝 | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的工藝腔室,包括腔室本體和腔室蓋,所述腔室蓋用于密封所述腔室本體,其特征在于,所述腔室蓋包括蓋體組件和支撐組件,所述蓋體組件與所述腔室本體可轉(zhuǎn)動地連接,且所述蓋體組件可相對于所述腔室本體升降;
所述支撐組件與所述蓋體組件連接,用于在所述蓋體組件朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中支撐所述蓋體組件,阻止所述蓋體組件與所述腔室本體接觸,使所述蓋體組件與所述腔室本體之間存在間隙,且在所述蓋體組件與所述腔室本體相對的兩個面平行后,停止支撐所述蓋體組件,使所述蓋體組件與所述腔室本體接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述蓋體組件包括蓋本體和轉(zhuǎn)動配合件,其中,所述轉(zhuǎn)動配合件設(shè)置在所述腔室本體上,所述蓋本體上設(shè)置有轉(zhuǎn)動部件,所述轉(zhuǎn)動部件與所述轉(zhuǎn)動配合件轉(zhuǎn)動配合,且所述蓋本體能夠相對于所述轉(zhuǎn)動配合件升降。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室,其特征在于,所述轉(zhuǎn)動部件包括轉(zhuǎn)軸,所述轉(zhuǎn)動配合件中設(shè)置有條形孔,所述轉(zhuǎn)軸可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述條形孔中,并能夠沿所述條形孔的長度方向移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的工藝腔室,其特征在于,所述支撐組件包括支撐部件、彈性部件和限位結(jié)構(gòu),其中,所述支撐部件可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述蓋本體上,并能夠在所述蓋本體朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中凸出于所述蓋本體,且能夠在所述蓋本體與所述腔室本體相對的兩個面平行后,轉(zhuǎn)動至不再凸出于所述蓋本體,所述支撐部件與所述腔室本體滾動接觸;
所述限位結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述蓋本體上,用于在所述蓋本體朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中與所述支撐部件相抵,對所述支撐部件的轉(zhuǎn)動角度進(jìn)行限制,使所述支撐部件支撐所述蓋本體;
所述彈性部件分別與所述蓋本體和所述支撐部件連接,用于使所述支撐部件轉(zhuǎn)動至與所述限位結(jié)構(gòu)相抵,且所述彈性部件能夠在所述支撐部件轉(zhuǎn)動至不再凸出于所述蓋本體時產(chǎn)生彈性形變。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室,其特征在于,所述彈性部件包括壓縮彈簧,所述限位結(jié)構(gòu)位于所述支撐部件遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)動配合件的一側(cè),所述壓縮彈簧位于所述支撐部件靠近所述轉(zhuǎn)動配合件的一側(cè),并與所述支撐部件之間具有夾角;
或者,所述彈性部件包括拉伸彈簧,所述限位結(jié)構(gòu)位于所述支撐部件靠近所述轉(zhuǎn)動配合件的一側(cè),所述拉伸彈簧位于所述支撐部件遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)動配合件的一側(cè),并與所述支撐部件之間具有夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室,其特征在于,所述支撐部件包括支撐桿和滾輪,所述支撐桿一端可轉(zhuǎn)動地與所述蓋本體連接,所述滾輪可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述支撐桿的另一端上,且所述滾輪能夠在所述蓋本體朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中凸出于所述蓋本體,以與所述腔室本體滾動接觸;所述彈性部件一端與所述蓋本體連接,另一端連接至所述支撐桿。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室,其特征在于,所述限位結(jié)構(gòu)包括限位槽,所述限位槽開設(shè)在所述蓋本體的側(cè)壁上,所述支撐部件可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述限位槽中,在所述蓋本體朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中,所述限位槽遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)動配合件的側(cè)壁與所述支撐部件相抵;所述蓋本體水平放置時,所述限位槽的側(cè)壁與水平面之間形成預(yù)設(shè)夾角,所述預(yù)設(shè)夾角的取值范圍為60°-90°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的工藝腔室,其特征在于,所述腔室本體上設(shè)置有定位孔,所述蓋體組件包括與所述定位孔配合的定位件,所述定位件的高度小于所述蓋體組件朝所述腔室本體轉(zhuǎn)動的過程中所述蓋體組件與所述腔室本體之間間隙的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的工藝腔室,其特征在于,所述腔室蓋包括至少三個所述支撐組件,至少三個所述支撐組件分別設(shè)置在所述蓋本體兩個相對的側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝腔室,其特征在于,所述蓋體組件還包括同步連接件,所述同步連接件用于連接位于所述蓋本體同一側(cè)壁上的多個所述支撐組件,使其同步轉(zhuǎn)動。
11.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,包括如權(quán)利要求1-10任意一項(xiàng)所述的工藝腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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