[發明專利]一種太陽能電池PECVD沉積鍍膜方法

有效

• 申請號: 202011154532.2
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112397385B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 王德昌;李景;孫曉凱
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 顧友

本發明公開了一種太陽能電池PECVD沉積鍍膜方法，所述方法包括：將容納有待鍍膜硅片的石墨舟置于管式爐中；將所述管式爐內溫度升至第一預設溫度后恒溫第一預設時長；對所述管式爐抽真空，并升溫至第二預設溫度；通入活性氣體以進行沉積；與現有技術相比，本發明的優點是：在大氣氛圍升溫后恒溫第一預設時長以增加大氣高溫恒溫過程，使得硅片表面的ALD氧化鋁沉積鍍膜能在高溫下與大氣氛圍中的氧氣反應，借助氧氣的氧化作用減少硅片膜層表面的懸掛鍵，從而減少表面復合提升鈍化穩定性以提高氮化硅膜層的沉積質量。

技術領域

本發明涉及太陽能電池領域，具體涉及一種太陽能電池PECVD沉積鍍膜方法。

背景技術

晶硅太陽能電池是一種可以將太陽光能轉化成為電能的電子元器件，而SE-PERC太陽能電池是晶硅太陽能電池中最流行的高效電池之一。隨著太陽電池光伏行業的發展，鈍化發射極和背面接觸(PERC)晶體硅太陽電池越來越受到市場的歡迎，尤其采用選擇性發射極技術(selectiveemitter,SE)的選擇性發射極晶體硅雙面PERC太陽能電池(SE-PERC)，對SE-PERC電池表面的處理工藝也變得尤為重要。

其中，PECVD(等離子增強化學氣相沉積)是電池表面處理的一道重要工序，該工序在ALD雙面氧化鋁沉積之后、背面激光開槽之前。目前光伏電池的PECVD工序常用管式PECVD進行正、反面氮化硅膜層沉積，在石墨舟載體載片進入爐管后，管式爐內環境采用大氣氛圍升溫，溫度達到設定值后進行抽真空，真空度達到設定后進行氮化硅膜層淀積。

但目前的工藝方法中硅片表面氧化鋁膜層存在懸掛鍵使得硅片在PECVD沉積時鈍化激活程度不高，以致于氮化硅膜層沉積質量不高，導致轉換效率偏低，嚴重影響良品率。

發明內容

本發明目的是：提供一種太陽能電池PECVD沉積鍍膜方法。

本發明的技術方案是：提供一種太陽能電池PECVD沉積鍍膜方法，所述方法包括：

將容納有待鍍膜硅片的石墨舟置于管式爐中；

將所述管式爐內溫度升至第一預設溫度后恒溫第一預設時長；

對所述管式爐抽真空，并升溫至第二預設溫度；

通入活性氣體以進行沉積。

在一些較佳的實施例中，所述第一預設溫度為480-550℃，所述第一預設時長為200-400s。

在一些較佳的實施例中，所述第二預設溫度為500-580℃，且所述第一預設溫度比所述第二預設溫度低20-30℃。

在一些較佳的實施例中，所述升溫至第二預設溫度后還包括：在所述第二預設溫度下恒溫第二預設時長。

在一些較佳的實施例中，所述第二預設時長為300-550s；

所述第一預設時長比所述第二預設時長短100-150s。

在一些較佳的實施例中，

所述通入活性氣體以進行沉積之前，所述方法還包括：

檢測所述管式爐的真空度，若所述真空度在第一預設真空范圍內則通入活性氣體以進行沉積。

在一些較佳的實施例中，所述檢測所述管式爐的真空度具體包括：檢測所述管式爐的漏率；

所述第一預設真空范圍為小于6pa/min。

在一些較佳的實施例中，所述待鍍膜硅片為已完成ALD雙面氧化鋁沉積鍍膜的硅片。

在一些較佳的實施例中，在所述將容納有待鍍膜硅片的石墨舟置于管式爐中之前，所述方法還包括：

對石墨舟進行預處理；