[發明專利]一種改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法在審
| 申請號： | 202011154128.5 | 申請日： | 2020-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN112271161A | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發明（設計）人： | 巴文民;胡展源;劉厥揚 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 晶體管 fin 尺寸 方法 | ||
1.一種改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供包含有多個Fin的第一半導體結構，所述Fin的頂部上形成有第一、第二硬掩膜層；所述Fin的側壁以及所述Fin與Fin之間的所述第一半導體結構底部均形成有第一薄型氧化層；
步驟二、將所述多個Fin中的部分Fin連同其上的第一、第二硬掩膜層和所述薄型氧化層切除形成第二半導體結構；
步驟三、在所述第二半導體結構上形成一層硅緩沖層；
步驟四、采用流體化學氣相沉積法在形成有所述硅緩沖層的所述第二半導體結構上覆蓋一氧化硅層；
步驟五、對所述第二半導體結構進行退火。
2.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：步驟一中所述Fin頂部形成有所述第一硬掩膜層，所述第一硬掩膜層上形成有所述第二硬掩膜層。
3.根據權利要求2所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：步驟一中所述第一硬掩膜層為氧化硅，所述第二硬掩膜層為氮化硅。
4.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：步驟三中在所述第二半導體結構上形成所述硅緩沖層的反應溫度為300～400℃。
5.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：步驟三中在所述第二半導體結構上形成所述硅緩沖層的采用的反應源氣體為乙硅烷。
6.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：步驟三中在所述第二半導體結構上形成的所述硅緩沖層的厚度為1～3nm。
7.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：在步驟四進行流體化學氣相沉積法之前，在所述第二半導體結構的所述硅緩沖層上形成第二薄型氧化層。
8.根據權利要求1所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：還包括步驟六、去除所述Fin頂部的第一、第二硬掩膜層。
9.根據權利要求8所述的改善鰭式晶體管Fin尺寸的方法，其特征在于：還包括步驟七、對所述氧化硅層進行回刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
